總投資52億元 無錫華虹集成電路一期擴能
來源：全球半導(dǎo)體觀察整理 2021-04-21 10:05:45
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日前，無錫市發(fā)展和改革委員會官網(wǎng)披露了重大項目“無錫華虹集成電路一期擴能”的相關(guān)信息。
信息顯示，無錫華虹集成電路一期擴能的項目單位為華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司，項目建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模為形成一條工藝等級90-65/55nm、月產(chǎn)能達到6.5萬片的12吋特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。建設(shè)起止年限為2021年，計劃總投資52億元，當年計劃投資52億元。
根據(jù)此前資料，華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司承擔建設(shè)華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地，一期項目（華虹七廠）投資25億美元，建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路生產(chǎn)線，該項目已于2019年9月建成投片。
華虹半導(dǎo)體2020年年報顯示，2020年是華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司12吋晶圓廠建成投產(chǎn)的第二年，機臺搬入進度、技術(shù)研發(fā)進度、客戶拓展進度均大幅領(lǐng)先于原計劃。嵌入式閃存、邏輯射頻與功率器件三大平臺已實現(xiàn)持續(xù)量產(chǎn)出貨。2020年，月投片量超2萬片。
