以“擁抱新變化”為主題的第十九屆上海國際汽車工業(yè)展覽會車展正在上海舉行,新能源趨勢已定,智能化作為電動化下半場競爭開啟,關于車規(guī)級芯片器件、車規(guī)級激光雷達技術的創(chuàng)新與應用一直都是業(yè)界關注的焦點。
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性,因其在國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用,正成為世界各國競爭的技術制高點。
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性,因其在國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用,正成為世界各國競爭的技術制高點。
4月21日,在NEPCON China 2021(第三十屆中國國際電子生產(chǎn)設備暨微電子工業(yè)展覽會)期間,由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵展博覽集團共同主辦的“2021功率半導體與車用LED技術創(chuàng)新應用論壇”在上海舉辦,論壇得到第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)的指導,以及愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司、吉永商事株式會社、天津賽米卡爾科技有限公司、南京集芯光電技術研究院有限公司的大力支持。
出席論壇的部分嘉賓合影
特邀嘉賓主持人(由左往右):CASA于坤山秘書長、南京大學謝自力教授和復旦大學田朋飛副教授
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山,廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽,南京大學教授謝自力,中科院上海光學精密機械研究所研究員夏長泰,中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁郭世平,愛思強中國區(qū)總經(jīng)理宋偉,吉永商事株式會社社長陳海龍,北京一徑科技有限公司全球營銷副總裁邵嘉平,寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理尹輝,天津賽米卡爾科技有限公司創(chuàng)始人、河北工業(yè)大學教授張紫輝,愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司市場總監(jiān)李茂林,賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖,英諾賽科科技有限公司高級產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波,復旦大學副教授田朋飛,中電南方國基集團有限公司高級工程師李士顏,南京集芯光電技術研究院有限公司技術總監(jiān)雷建明,蘇州晶湛半導體有限公司市場經(jīng)理陳宇超等嘉賓出席本次論壇。論壇還特邀CASA于坤山秘書長、南京大學謝自力教授和復旦大學田朋飛副教授一同主持,并參與了現(xiàn)場互動。
隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破,第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市場:SiC元件已用于汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年被認為是全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展期,也是我國能否實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控的關鍵期。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山為在致辭時表示,第三代半導體有著諸多的應用領域,隨著時間的推移,產(chǎn)業(yè)發(fā)展有巨大的進步,也面臨著發(fā)展新機遇,希望在業(yè)界同仁們的努力下,我國半導體產(chǎn)業(yè)有更好的發(fā)展。
隨后,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山分享了“功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀與前景展望”的主題報告,詳細分享了功率半導體器件應用、技術發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。他表示,功率半導體已處于技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳時機,其在半導體產(chǎn)業(yè)中的份額將不斷增長,當前需要集中優(yōu)勢資源,突破技術和產(chǎn)業(yè)化瓶頸,加速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,功率半導體材料和器件技術還在不斷的進步和發(fā)展,新材料、新工藝、新器件將不斷涌現(xiàn)。第三代半導體材料和器件,在電力變換與控制方面展現(xiàn)出優(yōu)異的性能,將極大促進功率半導體技術和產(chǎn)業(yè)跨入新的、更高階段。
新能源汽車正成為第三代半導體材料應用的焦點領域,廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽帶來了“碳化硅功率模塊在新能源汽車中的應用”的主題報告。他表示,國產(chǎn)新能源車開始引入SiCMOSFET到主驅上,反應良好。SiC市場從以二極管為主逐漸過渡到以MOSFET為主(國際市場)。全球SiC產(chǎn)業(yè)化剛剛開始,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)起步雖晚,但推動力度大進度快,封裝技術瓶頸和差距依然具備追趕并進的機會。
氧化鎵是一種新興半導體材料,人們對其在電力電子器件中的應用寄予了厚重的期望。中科院上海光學精密機械研究所博導、研究員夏長泰分享了氧化鎵電力電子器件的研究進展,基于氧化鎵半導體材料的基本物性,結合材料生長、摻質及器件等方面的實驗事實,展望其在電力電子器件中的應用前景。他表示,氧化鎵極寬禁帶半導體在電力電子領域中的應用潛力是無限的。相信在大家的共同奮斗下,氧化鎵半導體一定會不斷地給我們帶來驚喜。
當前快充市場熱度居高,5G手機促使快充技術迅速發(fā)展。英諾賽科科技有限公司高級產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波做了題為“GaN快充技術趨勢及進展”的主題報告,詳細分享了最新技術應用趨勢進展以及解決方案。他還表示,未來快充朝著高度集成化發(fā)展,變成材料層面的集成,電源的制造和形態(tài)朝著芯片化發(fā)展。
各類半導體器件結構設計和性能指標的提升必須以器件內(nèi)部半導體物理機制為依托和指導。而半導體器件仿真技術能有效突破器件實驗表象,可視化器件內(nèi)部最根本的物理機質,加深對半導體器件物理的理解,助力于半導體器件架構的優(yōu)化和制備,是現(xiàn)代先進半導體器件研發(fā)和制備的必備手段。天津賽米卡爾科技有限公司創(chuàng)始人,河北工業(yè)大學張紫輝教授帶來了“半導體仿真技術在第三代半導體器件中的應用”的精彩報告,圍繞深紫外發(fā)光二極管(DUV LED)、MicroLED、日盲紫外探測器、肖特基功率二極管(SBD)、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL),詳細闡述半導體器件仿真技術在半導體器件設計和制備過程中的關鍵作用,同時深入探討影響各類半導體器件性能指標的關鍵因素,并提出優(yōu)化設計方案。
自動駕駛是汽車領域未來的發(fā)展趨勢之一,正在參加上海車展的北京一徑科技有限公司全球營銷副總裁邵嘉平做了“激光雷達與自動駕駛最新發(fā)展”的主題分享。其中,報告認為自動駕駛貨車商業(yè)模式清晰,有望超預期落地,無人駕駛出租車將在2025年前后達到成本拐點,AVP可率先實現(xiàn)高級別自動駕駛在城市場景的落地,無人末端配送有望快速落地封閉小區(qū),企業(yè)園區(qū)等場景,帶來成本和效率的優(yōu)化,礦區(qū)自動駕駛是需求剛性,高確定性的落地場景。自動駕駛用雷達也將有看得遠、看得廣、看得準等新的要求。
我國最早的氮化鎵(GaN)外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化企業(yè),在2014年實現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品的商業(yè)化,填補了國內(nèi)乃至世界氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。目前蘇州晶湛已經(jīng)掌握了多項氮化鎵外延片核心技術。累計申請了百余項專利。會上,來自蘇州晶湛半導體科技有限公司的市場經(jīng)理陳宇超帶來了“應用于功率器件的硅基GaN外延片進展”的主題報告,結合具體的數(shù)據(jù)分享了650V應用的D模和E模硅基GaN外延片的進展,并介紹了面向更高電壓/電流應用的多通道器件研究進展。
真空技術在功率器件領域有其重要作用,愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司市場總監(jiān)李茂林做了題為“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產(chǎn)技術”的主題報告,分享了SiC功率器件制造過程中的ULVAC設備和技術整體解決方案,詳細說明了高溫離子注入技術、碳膜濺射技術及高溫退火技術是不同于硅基器件的特殊工藝制程。
碳化硅(SiC)材料擁有更大的禁帶寬度,更高的臨界擊穿場強和熱導率等優(yōu)異的材料特性,使得碳化硅電力電子器件具有更高的阻斷電壓,更大的輸出功率、更高工作頻率及更高得工作溫度等性能優(yōu)勢,可以大幅減小設備體積與重量,降低損耗。中電南方國基集團有限公司高級工程師李士顏帶來了“功率碳化硅 MOSFET芯片及模塊研究進展及應用”的主題報告,他表示,國際上SiC功率器件市場化應用速度提升,在電動汽車、電源、軌道交通等領域的應用將進入爆發(fā)期,市場產(chǎn)值將急劇擴張,國內(nèi)SiC功率器件迅速布局,技術進步迅速,自主芯片國產(chǎn)替代前景廣闊。大尺寸SiC襯底、SiCMOSFET技術成熟度仍需提高,SiCMOSFET器件應用技術提升是SiC市場的重要牽引。
以“立足日本,服務中國,為中日半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做貢獻”為使命的吉永商事株式會社,一方面以商貿(mào)為依托不斷為中國半導體界引入尖端裝備及技術;一方面以日本技術及人才為基礎,進行技術轉移,為中國半導體裝備國產(chǎn)化做貢獻。會上,吉永商事株式會社社長陳海龍帶來了“量產(chǎn)型SiC功率器件背面工藝技術提案”,詳細分享了具有實踐意義的背面減薄技術提案與激光退火技術提案。
以LED車用照明、智能感測、健康智能照明、三代半UVC四大核心業(yè)務,堅持光科技,塑造健康智能新生活為使命的寧波升譜光電股份有限公司的副總經(jīng)理尹輝出席論壇,并分享了“新能源車用LED封裝技術趨勢”的主題分享。對于車規(guī)級器件發(fā)展趨勢,報告指出,車用激u光大燈,配光問題需要與光學廠家配合解決;共晶車載色光產(chǎn)品,主要解決硫化和死燈問題;VCSEL數(shù)控式距離傳感器1-5m;IGBT、MOSFET、CMOS與LED組合模組等。
當前,功率半導體行業(yè)正在經(jīng)歷一場由碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體引領的技術革命,以實現(xiàn)更高的功率密度和開關速率。新能源汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等新應用領域對電力電子器件提出了巨大的挑戰(zhàn)。新一代封裝材料與相匹配的解決方案已經(jīng)成為寬禁帶半導體革命成功的關鍵。德國賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖帶來了“針對碳化硅功率模塊的先進封裝解決方案”的主題報告,詳細分享了一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。
GaN基電源最大的特點是將工作頻率提高數(shù)十倍,然而,工作頻率的提高會帶來更為嚴峻的噪聲處理問題。另一方面,GaN器件閾值電壓低、抗噪聲能力弱,且存在固有的物理缺陷。南京集芯光電技術研究院有限公司技術總監(jiān)雷建明做了題為“氮化鎵功率開關器件及其在超輕薄開關電源領域的應用研究”的主題報告,從器件、驅動、控制、拓撲電路等方面全方位提出解決方案,在實現(xiàn)超輕薄目標的基礎上,進一步提升產(chǎn)品的效率和工作可靠性。
主題報告之后,Panel Discussion 主題探討環(huán)節(jié),圍繞著SiC IGBT 還有多遠,IGBT 和MOSFET誰是未來主流?國產(chǎn)功率半導體替代問題與可靠性考慮,快充市場格局,第三代半導體對生產(chǎn)制造/電子微組裝/生產(chǎn)工藝帶來的要求和挑戰(zhàn)等主題,在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山主持下,與愛思強中國區(qū)總經(jīng)理宋偉、ULVAC市場總監(jiān)李茂林,中電南方國基集團有限公司高級工程師李士顏,英諾賽科科技有限公司高級產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波、南京大學教授謝自力、南京集芯光電技術研究院有限公司雷建明等嘉賓們一起與現(xiàn)場代表們展開了充分的探討,觀點碰撞交互,現(xiàn)場互動氣氛非常熱烈,帶來了充分的知識信息分享與觀點碰撞。
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