以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料由于具備禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高、電子飽和速率高等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用到功率半導(dǎo)體器件、日盲紫外探測(cè)器、深紫外發(fā)光等電子器件和光電器件領(lǐng)域。而各類半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和性能指標(biāo)的提升必須以器件內(nèi)部半導(dǎo)體物理機(jī)制為依托和指導(dǎo)。而半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)能有效突破器件實(shí)驗(yàn)表象，可視化器件內(nèi)部最根本的物理機(jī)質(zhì)，加深對(duì)半導(dǎo)體器件物理的理解，助力于半導(dǎo)體器件架構(gòu)的優(yōu)化和制備，是現(xiàn)代先進(jìn)半導(dǎo)體器件研發(fā)和制備的必備手段。

 

近日，2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵(lì)展博覽集團(tuán)共同主辦，并得到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的指導(dǎo)。

會(huì)上，天津賽米卡爾科技有限公司創(chuàng)始人，河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授帶來(lái)了“半導(dǎo)體仿真技術(shù)在第三代半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用”的精彩報(bào)告，圍繞深紫外發(fā)光二極管(DUV LED)、MicroLED、日盲紫外探測(cè)器、肖特基功率二極管(SBD)、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)，詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制備過(guò)程中的關(guān)鍵作用，同時(shí)深入探討影響各類半導(dǎo)體器件性能指標(biāo)的關(guān)鍵因素，并提出優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。

 

報(bào)告中詳細(xì)分享了AlGaN深紫外發(fā)光二極管器件物理與器件仿真、GaN基垂直腔面發(fā)射激光二極管器件物理與仿真、GaN基肖特基功率二極管器件物理與仿真、SiC與GaN日盲紫外探測(cè)器器件物理與仿真、MicroLED器件物理與仿真等研究成果與進(jìn)展。