日前，IBM宣布已制造出世界首個(gè)2nm制程芯片。

 

據(jù)報(bào)道，IBM的新型2nm芯片每平方毫米（MTr / mm 2）有約3.33億個(gè)晶體管。作為比較，臺(tái)積電和三星的7nm制程大約在每平方毫米9,000萬(wàn)個(gè)電晶體左右，三星的5LPE為1.3億個(gè)電晶體，而臺(tái)積電的5nm則是1.7億個(gè)電晶體。

 

圖片來(lái)源：AnandTech

 

此外，IBM預(yù)計(jì)，這款2nm架構(gòu)芯片在同樣的電力消耗下，性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能時(shí)則減少75%的功耗。

 

目前量產(chǎn)的制程技術(shù)中，領(lǐng)先的為臺(tái)積電的5nm，由蘋果的M1、A14芯片及華為的Kirin 9000采用，其次為三星的5LPE，用在Snapdragon 888芯片上，其后則為被廣泛采用的7nm制程。而在向更先進(jìn)制程推進(jìn)上，臺(tái)積電的4nm與3nm預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)，而2nm仍處于相對(duì)較早的開(kāi)發(fā)階段。英特爾的7nm制程芯片（英特爾的制程技術(shù)電晶體密度較高，因此約略介于臺(tái)積電的5nm與4nm之間）則預(yù)計(jì)2023年投產(chǎn)。