全球晶圓代工龍頭臺灣臺積電近來屢屢被日媒報導稱計畫在日本熊本縣興建半導體工廠，對此日本三菱電機(Mitsubishi Electric)表示，考慮在功率半導體的代工上找臺積電合作。

 

日本媒體Sankei Biz 17日報導，三菱電機考慮找臺積電合作、代工生產(chǎn)功率半導體。臺積電盛傳計劃在日本熊本縣興建半導體工廠，對此三菱電機社長衫山武史接受「FujiSankei Business i」采訪表示，「和該公司(三菱電機)的工廠、研發(fā)據(jù)點距離很近，在代工上進行合作是十分有可能的」。

 

半導體制造工程可大致分為在矽晶圓上形成電路的「前段制程」和進行組裝、封測等的「后段制程」，三菱電機在熊本縣合志市擁有前段制程主力工廠、在福岡市擁有后段制程主力工廠和研發(fā)據(jù)點，且因看好功率半導體需求增加，因此三菱電機去年收購夏普位于廣島縣福山市的土地和廠房，將作為前段制程生產(chǎn)據(jù)點于今秋啟用生產(chǎn)。

 

報導指出，要提高產(chǎn)能就必須進行巨額投資，因此在前段制程中，三菱電機已將表面加工部分委托給臺灣晶圓代工廠進行，因此若臺積電真在熊本縣興建工廠的話，三菱電機基于分散風險考量、考慮將前段制程的表面加工生產(chǎn)委托給臺積電。

 

三菱電機從事功率半導體的研發(fā)、制造，因全球減碳動向加快，讓作為電動車(EV)核心零件的功率半導體今后需求看增。目前日系廠商在功率半導體市場上擁有一定的存在感，三菱電機、富士電機、東芝等3家廠商合計握有全球2成市占。

 

 

日經(jīng)新聞6月10日報導，據(jù)多家供應商干部指出，因日本政府向臺積電提出要求、希望臺積電能在日本生產(chǎn)先進芯片，也讓臺積電開始進行實際評估，考慮在日本熊本縣興建一座使用12吋硅晶圓的大規(guī)模工場，該座工廠也將成為臺積電位于日本的首座半導體工廠。

 

報導指出，臺積電考慮在日本興建的半導體工廠將導入16納米或28納米技術，和現(xiàn)行最先進的5納米之間雖有差距，不過是活用于汽車、智能手機等眾多產(chǎn)品的重要技術。

 

日刊工業(yè)新聞5月26日報導，在日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省主導下，Sony、臺積電有可能會合資在日本熊本縣興建半導體工廠。經(jīng)產(chǎn)省將居中協(xié)調(diào)、和關系人士進行調(diào)整，預估將以前段制程為中心、總投資額預估達1兆日圓以上。只是上述建廠計劃能否實現(xiàn)要看日本政府能否大幅擴增當前遜于歐美的補助金等援助對策。

 

據(jù)報導，在上述建廠構想中，Sony、臺積電預估會在2021年內(nèi)設立半導體制造合資公司，將由臺積電居主導權、且Sony以外的日本企業(yè)也可能會進行部分出資，而計劃興建的前段制程工廠將落腳于Sony位于熊本縣菊陽町的影像感測器工廠附近。

 

日本市調(diào)機構富士經(jīng)濟(Fuji Keizai)6月10日公布調(diào)查報告指出，2020年功率半導體市場雖陷入萎縮，不過自2021年以后，因車輛電子化、5G通訊相關投資增加，加上產(chǎn)業(yè)領域需求回復，因此預估市場將轉(zhuǎn)趨擴大，預估2030年市場規(guī)模將達4兆471億日圓、將較2020年成長44.3%。

 

富士經(jīng)濟表示，自2021年以后，在汽車/電子設備需求加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長，2030年市場規(guī)模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。

 

其中，因汽車/電子設備需求加持，來自中國大陸、北美、歐洲的需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規(guī)模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規(guī)模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規(guī)模預估為465億日圓。