半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)根據(jù)公開消息整理：中微半導(dǎo)體、英特爾、斯達(dá)、三菱、日立、SK海力士、比亞迪等公司近期最新動(dòng)態(tài)，以及行業(yè)動(dòng)態(tài)如下（僅供參考）：
 

據(jù)媒體報(bào)道，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產(chǎn)品漲價(jià)，MOSFET的漲幅將有12%，預(yù)計(jì)本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導(dǎo)體廠商也在近期發(fā)布了漲價(jià)通知。英飛凌之外，ST、安森美、安世半導(dǎo)體等全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商也于近期紛紛發(fā)布漲價(jià)通知，ST宣布全系列產(chǎn)品將于6月1日開始漲價(jià)；安森美也宣布部分產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)，生效日期定于今年7月10日；安世半導(dǎo)體宣布于6月7日提高公司產(chǎn)品價(jià)格。國外廠商產(chǎn)生的產(chǎn)能缺口，客觀上促進(jìn)了功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代進(jìn)程。士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、蘇州東微、華微電子等國產(chǎn)品牌的芯片產(chǎn)品對(duì)于進(jìn)口產(chǎn)品產(chǎn)生了較大的挑戰(zhàn)，但是產(chǎn)能有限，交期也在拉長，通常在3個(gè)月以上。

 

近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微半導(dǎo)體”）首臺(tái)8英寸甚高頻去耦合反應(yīng)離子（CCP）刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE 200順利付運(yùn)客戶生產(chǎn)線。據(jù)悉，Primo AD-RIE 200刻蝕設(shè)備是中微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新一代8英寸甚高頻去耦合反應(yīng)離子（CCP）刻蝕設(shè)備，能夠滿足不同客戶8英寸晶圓的加工需求，同時(shí)可靈活配置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔（即六個(gè)反應(yīng)臺(tái)）。此外，Primo AD-RIE 200還提供了可升級(jí)至12英寸刻蝕設(shè)備系統(tǒng)的靈活解決方案，以滿足客戶生產(chǎn)線未來可能擴(kuò)產(chǎn)的需求。

 

最近，英特爾在官網(wǎng)表示，他們將展示首款氮化鎵 (GaN) 穩(wěn)壓器，其優(yōu)值是硅器件的10倍，峰值效率超過94%。這款穩(wěn)壓器最獨(dú)特之處在于，采用了5項(xiàng)技術(shù)，將GaN功率和GaN射頻晶體管，與硅PMOS的整合成一個(gè)片上系統(tǒng)，既可以實(shí)現(xiàn)高頻操作，又可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。而且該器件是基于12英寸硅晶圓，這在業(yè)界很少見，成本也非常有優(yōu)勢(shì)。

 

6月17日，斯達(dá)發(fā)布了非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，計(jì)劃為4個(gè)項(xiàng)目募資35億元，其中，與碳化硅相關(guān)的項(xiàng)目有2個(gè)，包括“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”和“功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目”，合計(jì)金額為12億元。

 

今年3月2日，斯達(dá)剛通過非公開發(fā)行股票，募集35億元，其中20億元用于“高壓特色工藝功率芯片和SiC研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。2020年12月18日，斯達(dá)還曾擬投資2.2947億元建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，已建設(shè)車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測(cè)試中心。根據(jù)公告，斯達(dá)這次募資主要有兩個(gè)目的，一是研發(fā)車規(guī)級(jí)SiC芯片，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，二是通過自動(dòng)化擴(kuò)大SiC模塊產(chǎn)能。

 

臺(tái)積電近來屢屢被日媒報(bào)導(dǎo)稱計(jì)畫在日本熊本縣興建半導(dǎo)體工廠，對(duì)此日本三菱電機(jī)(Mitsubishi Electric)表示，考慮在功率半導(dǎo)體的代工上找臺(tái)積電合作。日本媒體Sankei Biz 17日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三菱電機(jī)考慮找臺(tái)積電合作、代工生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

 

臺(tái)積電盛傳計(jì)劃在日本熊本縣興建半導(dǎo)體工廠，對(duì)此三菱電機(jī)社長衫山武史接受「FujiSankei Business i」采訪表示，“和該公司(三菱電機(jī))的工廠、研發(fā)據(jù)點(diǎn)距離很近，在代工上進(jìn)行合作是十分有可能的”。報(bào)道指出，要提高產(chǎn)能就必須進(jìn)行巨額投資，因此在前段制程中，三菱電機(jī)已將表面加工部分委托給臺(tái)灣晶圓代工廠進(jìn)行，因此若臺(tái)積電真在熊本縣興建工廠的話，三菱電機(jī)基于分散風(fēng)險(xiǎn)考量、考慮將前段制程的表面加工生產(chǎn)委托給臺(tái)積電。

 

美國參議院兩黨近期投票通過一項(xiàng)立法，計(jì)劃在未來五年里撥款520億美元用于支持國內(nèi)半導(dǎo)體芯片制造。英特爾和臺(tái)積電都已承諾斥資百億美元籌建晶圓廠，日本電子公司日立(Hitachi)也已計(jì)劃在美國俄勒岡州希爾斯伯勒建造一個(gè)大型半導(dǎo)體研究工廠。
 

據(jù)外媒Oregon Live報(bào)道，日立表示，該公司現(xiàn)有的希爾斯伯勒工廠一直在與其美國客戶就芯片制造技術(shù)進(jìn)行合作。新工廠將“鞏固并拓展其技術(shù)開發(fā)能力”，以期在美國進(jìn)一步提升半導(dǎo)體技術(shù)。報(bào)道指出，盡管新工廠不從事芯片制造，但日立似乎已經(jīng)押注未來幾年內(nèi)美國半導(dǎo)體制造的增長。俄勒岡州的經(jīng)濟(jì)發(fā)展機(jī)構(gòu) Business Oregon 表示，日立不會(huì)獲得該州政府的激勵(lì)措施。新工廠能夠的節(jié)省的費(fèi)將取決于它在建筑和內(nèi)部設(shè)備上的花費(fèi)。
 

無錫日?qǐng)?bào)報(bào)道，位于無錫高新區(qū)的SK海力士集成電路產(chǎn)業(yè)園計(jì)劃今年8月開工建設(shè)。據(jù)悉，該產(chǎn)業(yè)園將以SK海力士為龍頭，挖掘園區(qū)對(duì)晶圓制造供應(yīng)鏈企業(yè)的吸引力，集聚國內(nèi)外裝備、關(guān)鍵零部件、研發(fā)培訓(xùn)中心等，加快形成集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)群，目前已接洽產(chǎn)業(yè)和科技項(xiàng)目37個(gè)，其中2個(gè)即將落地。2020年1月16日，SK海力士與無錫高新區(qū)簽署投資合作協(xié)議共建集成電路產(chǎn)業(yè)園。項(xiàng)目總投資20億元，重點(diǎn)圍繞SK海力士上下游產(chǎn)業(yè)鏈，著力打造以SK海力士為龍頭、各類優(yōu)質(zhì)配套企業(yè)和研發(fā)培訓(xùn)中心聚集的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總部經(jīng)濟(jì)集群。

 

日前，比亞迪發(fā)布公告稱,在股東大會(huì)中,股東表決通過分拆所屬子公司比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司至創(chuàng)業(yè)板上市。據(jù)此前公告顯示,比亞迪股份擬將控股子公司比亞迪半導(dǎo)體分拆至深交所創(chuàng)業(yè)板上市。本次分拆完成后,比亞迪股份股權(quán)結(jié)構(gòu)不會(huì)因本次分拆而發(fā)生變化,且仍將維持對(duì)比亞迪半導(dǎo)體的控制權(quán)(持股72.3%)。這意味著比亞迪半導(dǎo)體獨(dú)立上市的工作正式拉開序幕。比亞迪公司希望通過本次分拆,進(jìn)一步提升比亞迪半導(dǎo)體的投融資能力以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力將進(jìn)一步增強(qiáng),有利于上市公司突出主業(yè)、增強(qiáng)獨(dú)立性,有助于提升比亞迪整體盈利水平。比亞迪半導(dǎo)體主營功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器及光電半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。

 

近日，證監(jiān)會(huì)按法定程序同意格科微有限公司（以下簡(jiǎn)稱“格科微”）科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊(cè)。格科微及其承銷商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件。

招股書注冊(cè)稿顯示，格科微本次發(fā)行的募投項(xiàng)目投資總額合計(jì)約74.29億元，其中擬使用募集資金69.6億元，主要用于12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和CMOS圖像傳感器研發(fā)項(xiàng)目。

 

其中，12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資總額68.45億元，建設(shè)期2年，擬采用募集資金投資63.76億元，將在上海臨港新片區(qū)新建12英寸BSI晶圓后道產(chǎn)線。產(chǎn)線主要用于生產(chǎn)制造中高階BSI圖像傳感器所需的12英寸BSI晶圓。項(xiàng)目建成后格科微將擁有月產(chǎn)20,000片BSI晶圓的產(chǎn)能。CMOS圖像傳感器研發(fā)項(xiàng)目總投資額為5.84億元，建設(shè)期為3年，建設(shè)投入包括研發(fā)場(chǎng)地的租賃、裝修，購置研發(fā)所需設(shè)備，以及研發(fā)過程中所需的模具試制費(fèi)、流片費(fèi)、測(cè)試費(fèi)、軟件使用費(fèi)和研發(fā)人員支出等。

 

格科微表示，公司本次募集資金運(yùn)用均圍繞主營業(yè)務(wù)進(jìn)行。其中，12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在全球BSI晶圓供給趨緊的背景下，通過“自建產(chǎn)線、分段加工”的方式保障12英寸BSI晶圓的供應(yīng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)CIS特殊工藝關(guān)鍵生產(chǎn)步驟的自主可控，鞏固并提升公司的市場(chǎng)地位和綜合競(jìng)爭(zhēng)力。

 

CMOS圖像傳感器研發(fā)項(xiàng)目結(jié)合公司的產(chǎn)品規(guī)劃及整體戰(zhàn)略目標(biāo)，一方面對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行成本優(yōu)化和性能提升，進(jìn)一步擴(kuò)大公司在中低階CIS產(chǎn)品中的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)份額；另一方面積極開發(fā)高像素產(chǎn)品，豐富產(chǎn)品梯次，為公司的可持續(xù)發(fā)展提供有力的技術(shù)支撐。