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多方布局快充領(lǐng)域 第三代半導(dǎo)體材料迎來(lái)機(jī)遇

日期:2021-06-18 來(lái)源:金融界網(wǎng)閱讀:271
核心提示:據(jù)媒體報(bào)道,傳音尚未發(fā)布的旗艦新機(jī)型將配備160W充電器,成為全球首款160W快充。另外,電信終端產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)日前發(fā)布《移動(dòng)終端融合
據(jù)媒體報(bào)道,傳音尚未發(fā)布的旗艦新機(jī)型將配備160W充電器,成為全球首款160W快充。另外,電信終端產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)日前發(fā)布《移動(dòng)終端融合快速充電技術(shù)規(guī)范》,旨在指定移動(dòng)終端的融合快速充電標(biāo)準(zhǔn),解決互配快充不兼容的問(wèn)題。
 
目前市面上最高的快充規(guī)格是小米等廠商配備的120W快充,最快能在20分鐘內(nèi)充滿整部手機(jī)。國(guó)開(kāi)證券表示,第三代半導(dǎo)體材料GaN具備功率密度大、能量轉(zhuǎn)化效率高及體積小等優(yōu)勢(shì),將成為快充技術(shù)升級(jí)的重要方向,有望快速推廣。
 
民德電子(300656)以硅基功率器件為基礎(chǔ),積極布局第三代功率半導(dǎo)體材料、設(shè)計(jì)、制造等關(guān)鍵領(lǐng)域;
 
亞光科技(300123)正全力研發(fā)砷化鎵/氮化鎵射頻芯片關(guān)鍵技術(shù),并在芯片制造領(lǐng)域與國(guó)內(nèi)流片廠深度合作。
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