6月11日,北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設項目完成竣工驗收,為下一步建設第三代半導體工藝線,實現(xiàn)核心芯片產(chǎn)業(yè)化打下堅實基礎。
2020年9月30日,第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地落成儀式在中關村順義園舉行。據(jù)當時中關村順義園消息,這是國內(nèi)首個聚集全產(chǎn)業(yè)鏈的三代半創(chuàng)新基地。
據(jù)此前公開消息,該創(chuàng)新基地將圍繞光電子、電力電子、微波射頻三大應用領域,建設第三代半導體工藝、封裝測試、可靠性檢測和科技服務4大基礎平臺,平臺采取開放聯(lián)合、共享合作的方式,由北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司實施運營。北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司于2018年4月由國基北方13所控股并主導國聯(lián)萬眾半導體經(jīng)營。
其中,基地1——生產(chǎn)實驗廠房主要用來做芯片設計、工藝開發(fā)、孵化服務、會議展覽等業(yè)務,孵化和加速面積達到1萬平以上,將創(chuàng)造1000個以上的就業(yè)崗位,每年產(chǎn)值超100億元。
基地2——生產(chǎn)實驗廠房主要用來半導體工藝加工、封裝測試、檢驗檢測等業(yè)務,主要產(chǎn)品為第三代半導體核心芯片,包括氮化鎵射頻功放和碳化硅電力電子芯片、器件和模塊,產(chǎn)品已經(jīng)應用到5G移動通信基站、充電樁中。