近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一，國(guó)際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動(dòng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，加強(qiáng)各界交流與協(xié)同創(chuàng)新，2015年10月，中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)發(fā)起并主辦了首屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議，會(huì)議由中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所承辦。自第二屆開(kāi)始，會(huì)議更新為由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)兩家單位共同主辦。廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同承辦了第二屆大會(huì)。

 

隨著大會(huì)規(guī)模和影響力的不斷增強(qiáng)，今年，“全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議”迎來(lái)了第四屆，定于2021年11月7-10日在美麗的鷺島廈門(mén)舉辦，由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦，廈門(mén)大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合承辦。

 

以氮化物半導(dǎo)體等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，在新能源汽車(chē)、通信以及家用電器等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，有著巨大的應(yīng)用前景。目前，市場(chǎng)火熱的5G基站、新能源汽車(chē)和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。“一代材料、一代產(chǎn)業(yè)”，材料生長(zhǎng)與提升關(guān)系著諸多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，本屆大會(huì)將關(guān)注氮化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、碳化硅、金剛石等材料的最新進(jìn)展與成果。

 

材料的物理性能隨材料成分、組織結(jié)構(gòu)及外界使用環(huán)境變化而變化。不同的成分的材料，制備加工工藝不同，得到的組織結(jié)構(gòu)不同，可具有不同的性能。了解這些規(guī)律有助于發(fā)掘材料的最佳性能。本屆會(huì)議將關(guān)注材料物性和表征技術(shù)，涉及光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等的最新研究。

 

第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。其中LED作為第三代半導(dǎo)體材料的第一個(gè)成功應(yīng)用突破口，已經(jīng)形成了巨大的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，還有LD、光電探測(cè)器等諸多應(yīng)用方向，

 

光電子器件、射頻電子器件是第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用方向，射頻電子器件方面，5G通信基站、雷達(dá)等推動(dòng)GaN射頻市場(chǎng)需求不斷增大。新能源汽車(chē)和充電樁市場(chǎng)是碳化硅功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要?jiǎng)恿?。隨著新能源汽車(chē)的發(fā)展，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求量將會(huì)日益增加。電子器件及其應(yīng)用也將是本屆會(huì)議的重要關(guān)注方向。

 

當(dāng)前，寬禁帶材料與器件的研究開(kāi)發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)，并不斷有新的成果出現(xiàn)，本屆大會(huì)將引入更多超寬禁帶半導(dǎo)體、二維寬禁帶半導(dǎo)體、有機(jī)寬禁帶半導(dǎo)體等新型寬禁帶材料與器件的最新進(jìn)展

 

作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議，屆時(shí)國(guó)家來(lái)自國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專(zhuān)家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會(huì)議必將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。