7月20日，晶盛機電晶體實驗室自主研發(fā)的國內(nèi)首臺12英寸硬軸直拉硅單晶爐成功生長出首顆12英寸硅單晶。這是繼2020年8月國內(nèi)首臺8英寸硬軸直拉爐生長出8英寸硅單晶之后，又一次在半導體級硅單晶生長裝備上取得的重要技術進展，為國內(nèi)大硅片行業(yè)技術升級提供了裝備保障。
官方介紹，研發(fā)團隊在鞏固原有技術的基礎上，解決了硬軸單晶爐高真空、高精度及傳動過程震動消除等諸多技術難題，實現(xiàn)了高穩(wěn)定性晶體生長環(huán)境，為 12 英寸硅單晶體內(nèi)微缺陷控制和徑向均勻性提高提供了技術支撐。
晶盛機電稱，依托兩項國家科技重大 02 專項課題（“300mm 硅單晶直拉生長裝備的開發(fā)”和“8 英寸區(qū)熔硅單晶爐國產(chǎn)設備研制”），專注于半導體硅單晶生長裝備研發(fā)，相繼開發(fā)出定拉速控徑、液位控制、定放肩、超導磁場拉晶等多項國際領先技術。
