寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動(dòng)我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，加強(qiáng)各界交流與協(xié)同創(chuàng)新，八年前，首屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議召開。

今年，每兩年一屆的全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議（WBSC）迎來了第四屆，將于2021年10月12-15日（延期至11月7-10日）在美麗的鷺島廈門舉辦。由廈門大學(xué)校長張榮教授與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長共同擔(dān)任大會(huì)主席。同時(shí)，邀請了強(qiáng)大的顧問委員會(huì)、程序委員會(huì)、組織委員會(huì)專家團(tuán)。

 

據(jù)了解，本屆大會(huì)以“芯動(dòng)力·新征程--寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)”為主題，屆時(shí)，強(qiáng)大的專家團(tuán)隊(duì)將與來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表們一道，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會(huì)議必將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。

 

據(jù)組委會(huì)透露，大會(huì)顧問委員會(huì)專家、中科院院士江風(fēng)益已經(jīng)確認(rèn)將出席會(huì)議，并帶來題為“Si基GaN半導(dǎo)體發(fā)光”的大會(huì)報(bào)告。

 

江風(fēng)益是中國科學(xué)院院士，南昌大學(xué)黨委委員、副校長、教授，國家硅基LED工程技術(shù)研究中心主任。半導(dǎo)體照明技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)帶頭人（科技部、教育部），獲中組部、中宣部、人事部和科技部聯(lián)合授予"杰出專業(yè)技術(shù)人才"稱號。他在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統(tǒng)性、創(chuàng)造性成就，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍(lán)光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，獲國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)和全球半導(dǎo)體照明年度新聞獎(jiǎng)。也是世界紅光和黃光出光效率的保持者。

 

寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN作為第三代半導(dǎo)體材料具有傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料所不具備的優(yōu)異性能，硅基氮化鎵功率器件具有擊穿電壓高，工作溫度高和工作頻率高等優(yōu)異性能，是電力電子領(lǐng)域極為理想的半導(dǎo)體器件，現(xiàn)已成為國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。本屆大會(huì)上，一直堅(jiān)持走在科研前線的江風(fēng)益院士將與業(yè)界分享關(guān)于Si基GaN半導(dǎo)體發(fā)光的最新研究成果，敬請期待！

目前大會(huì)征文及報(bào)名工作正有序進(jìn)行中，論文摘要提交將于8月10日截止，報(bào)名繳費(fèi)優(yōu)惠將于9月10日截止。歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流！