近期，中國半導(dǎo)體設(shè)備材料國產(chǎn)化進程不斷加快，相關(guān)公司股價不斷上漲。特別是，我們注意到光刻膠、曝光設(shè)備、沉積設(shè)備和離子注入機的本地化正在進行中。

 

半導(dǎo)體光刻膠在中國的國產(chǎn)化

 

近期中國半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化進展令人矚目，相關(guān)企業(yè)股價回報良好。由于美國制裁，中國半導(dǎo)體設(shè)備進口難度加大，加快了自身設(shè)備的發(fā)展。28nm制程光刻設(shè)備將于年底在中國上市，離子注入機等也正在取得進展。

 

光刻膠在中國的發(fā)展也在加速。南大光電宣布ArF光刻膠開發(fā)成功，導(dǎo)致其股價在五天內(nèi)上漲了68%。蘇州瑞虹也在量產(chǎn)供應(yīng)給中國半導(dǎo)體廠商的i-line光刻膠，并正在開發(fā)KrF光刻膠，目前處于中試階段，計劃從2022年開始量產(chǎn)。

 

中國半導(dǎo)體設(shè)備和材料制造商表現(xiàn)良好

 

由于中國政府的支持集中在半導(dǎo)體設(shè)備和材料制造商，相關(guān)公司的股價應(yīng)該會脫穎而出。我們關(guān)注可以生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備制造商AdvancedTechnology& Materials， CVD和清潔設(shè)備制造商NauraTechnology，以及光刻膠和沉積前驅(qū)體制造商 NataOptoelectronic。

 

與此同時，中國 DRAM 龍頭廠商的DDR419nm 工藝良率已上升至 75%，考慮到其相對較短的歷史，這是一個合理的水平。該公司計劃在年底前開始17nm工藝量產(chǎn)。其目前的 DRAM 容量為 40K WPM，但計劃到 2021 年底升級到 60K WPM。