浦東時報刊登了“瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目的環(huán)評公示”。

公示內(nèi)容顯示，上海瀚鎵半導體科技有限公司將在浦東建設4英寸GaN高質(zhì)量自支撐晶圓的研發(fā)及中試。

 

上海瀚鎵半導體科技有限公司成立于2020年8月，法定代表人為何哲強，注冊資本為500萬元人民幣。

 

該公司在招聘網(wǎng)站的招聘主頁顯示，上海瀚鎵半導體科技有限公司由上海集成電路材料研究院支撐孵化，公司位于中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)。公司技術(shù)核心團隊成員來自中國科學院、加州勞倫斯伯克利國家實驗室、加州大學伯克利分校等知名機構(gòu)和院校，具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的核心專利技術(shù)。公司專注于GaN晶體材料制造技術(shù)及相關(guān)設備、應用技術(shù)的開發(fā)，進行GaN自支撐晶圓制造關(guān)鍵技術(shù)中試研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為推動GaN 半導體行業(yè)的高性能、高品質(zhì)發(fā)展提供核心基礎材料支撐，助力我國競占第三代半導體行業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略制高點。