昭和電工指出，藉由公募增資、第三者配額增資，以及視需求動(dòng)向?qū)?shí)施超額配售(Over allotment)，預(yù)估最高將發(fā)行3,519萬(wàn)股新股、約相當(dāng)于現(xiàn)行已發(fā)行股數(shù)的2成比重，最高將籌得1,093億日?qǐng)A資金。

 

在上述1,093億日?qǐng)A資金中、約700億日?qǐng)A將用于增產(chǎn)半導(dǎo)體材料。就細(xì)項(xiàng)來(lái)看，昭和電工計(jì)劃投資58億日?qǐng)A增產(chǎn)使用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓以及鋰離子電池材料、增產(chǎn)工程預(yù)計(jì)于2023年12月完工；投資59億日?qǐng)A增產(chǎn)電子材料用高純度氣體、預(yù)計(jì)2023年12月完工；投資232億日?qǐng)A提高研磨液(CMP Slurry)產(chǎn)能及改善質(zhì)量、預(yù)估2023年12月完工；投資248億日?qǐng)A增產(chǎn)使用于印刷電路板(PCB)的銅箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，預(yù)計(jì)2024年3月完工。

 

日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月10日公布調(diào)查報(bào)告指出，自2021年以后，在汽車(chē)/電子設(shè)備需求加持下，預(yù)估碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長(zhǎng)，2030年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為2,490億日?qǐng)A、將較2020年跳增3.8倍(成長(zhǎng)約380%)。

 

其中，因汽車(chē)/電子設(shè)備需求加持，來(lái)自中國(guó)、北美、歐洲的需求揚(yáng)升，預(yù)估2030年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至1,859億日?qǐng)A、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大至166億日?qǐng)A、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為465億日?qǐng)A。

 

 

據(jù)CREE CEO Gregg Lowe在日前介紹，公司位于紐約州馬西鎮(zhèn)（Marcy）的碳化硅（SiC）晶圓廠有望在2022年初投產(chǎn)，該廠于2019年開(kāi)始建設(shè)，為“世界上最大”的碳化硅晶圓廠，將聚焦車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品，是科銳10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能計(jì)劃的一部分，也是該公司有史以來(lái)最大手筆的投資。

 

在2019年5月7日 Cree宣布，作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能，在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級(jí)工廠。這項(xiàng)標(biāo)志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務(wù)提供動(dòng)能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能，使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車(chē)、通訊設(shè)施和工業(yè)市場(chǎng)帶來(lái)巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。

 

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車(chē)和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢(shì)來(lái)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對(duì)于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資，將大幅地提升供應(yīng)，幫助客戶為市場(chǎng)提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年第一季度（也就是我們開(kāi)始擴(kuò)大產(chǎn)能的第一階段）相比較，能夠帶來(lái)SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長(zhǎng)和材料生產(chǎn)的30倍增長(zhǎng)。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來(lái)5年乃至更長(zhǎng)遠(yuǎn)的預(yù)期增長(zhǎng)。”

 

這項(xiàng)計(jì)劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過(guò)增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預(yù)期市場(chǎng)需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計(jì)成能夠全面滿足汽車(chē)認(rèn)證的工廠，其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會(huì)是今天現(xiàn)有的18倍，剛開(kāi)始階段將進(jìn)行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達(dá)勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣?jí)工廠。

 

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時(shí)還表示：“這些SiC碳化硅制造超級(jí)工廠，將加速當(dāng)今最快增長(zhǎng)市場(chǎng)的創(chuàng)新。通過(guò)提供解決方案，幫助提高EV電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程并減少充電時(shí)間，同時(shí)支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來(lái)最大的資本投資，也是一種在財(cái)政上負(fù)責(zé)任的方式。通過(guò)采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實(shí)現(xiàn)提供最先進(jìn)技術(shù)的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

 

擴(kuò)大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機(jī)會(huì)，并提供先進(jìn)制造人才發(fā)展計(jì)劃。Cree計(jì)劃與州、當(dāng)?shù)睾退哪曛圃盒ｉ_(kāi)展培訓(xùn)項(xiàng)目，為新工廠所帶來(lái)的長(zhǎng)期、高端就業(yè)和成長(zhǎng)機(jī)遇提供人才儲(chǔ)備。

 

 

據(jù)日經(jīng)日前報(bào)道，日本各家電子零件廠加快對(duì)EV相關(guān)零件進(jìn)行增產(chǎn)投資，其中Rohm計(jì)劃在今后5年內(nèi)投資600億日?qǐng)A、將使用于EV的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的5倍。

 

報(bào)導(dǎo)指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的研發(fā)上居領(lǐng)先，于全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)握有2成市占率，和英飛凌( Infineon )、STMicroelectronics并列為全球主要供應(yīng)商之一，而其產(chǎn)能擴(kuò)增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料也以經(jīng)由汽車(chē)零件廠的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。

 

早在幾年前，羅姆就規(guī)劃將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房，預(yù)計(jì)于2019年2月動(dòng)工、2020年12月完工。按照羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說(shuō)明會(huì)上表示，公司將投資約200億日?qǐng)A，于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進(jìn)行增產(chǎn)投資，在2025年3月底前累計(jì)將投資600億日?qǐng)A，屆時(shí)將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴(kuò)增至2016年度16倍。

 

而在早前，ROHM最近舉行了開(kāi)幕式，宣布將于2019年2月開(kāi)始在ROHM Apollo的Chikugo工廠完成新建筑的竣工，以增強(qiáng)SiC功率器件的生產(chǎn)能力。

 

新大樓是一家最先進(jìn)的環(huán)保工廠，其生產(chǎn)設(shè)施采用了許多節(jié)能技術(shù)，其中100％的電力來(lái)自可再生能源。

 

此外，我們通過(guò)引入各種災(zāi)難對(duì)策來(lái)增強(qiáng)BCM（業(yè)務(wù)連續(xù)性管理）系統(tǒng)。從2021年1月起，我們將開(kāi)始安裝生產(chǎn)設(shè)備并構(gòu)建能夠滿足SiC功率器件中長(zhǎng)期增長(zhǎng)需求的制造系統(tǒng)。

 

據(jù)報(bào)道，自2010年以來(lái)，ROHM一直在大量生產(chǎn)包括SiC SBD和MOSFET在內(nèi)的SiC功率器件，該公司在技術(shù)開(kāi)發(fā)方面繼續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，例如推出了業(yè)界首款全SiC功率模塊和SiC溝槽MOSFET。同時(shí)，羅姆擁有一個(gè)集成的生產(chǎn)系統(tǒng)，致力于通過(guò)增加硅片直徑和利用最新設(shè)備來(lái)提高生產(chǎn)效率，同時(shí)還減少了制造對(duì)環(huán)境的影響。

 

除了這棟新建筑外，羅姆集團(tuán)旗下生產(chǎn)SiC硅片的SiCrystal GmbH計(jì)劃從下一個(gè)財(cái)年開(kāi)始使用100％可再生能源運(yùn)營(yíng)，從而將工廠購(gòu)買(mǎi)的電力所產(chǎn)生的CO 2排放量降至零。結(jié)果，所有主要的SiC芯片生產(chǎn)工藝都將使用環(huán)保的可再生能源。

 

資料顯示，統(tǒng)計(jì)2020上半年全球半導(dǎo)體碳化硅襯底市場(chǎng)份額， CREE出貨量占據(jù)全球45%，日本羅姆子公司SiCrystal占據(jù)20%，II-VI占13%；中國(guó)企業(yè)天科合達(dá)的市場(chǎng)占有率由2019年3%上升至2020年5.3%，山東天岳占比為2.6%。