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恒普真空邀您參加2021中國(guó)(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)

日期:2021-09-01 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:301
核心提示:參加2021中國(guó)(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)
會(huì)議宣傳圖
寧波恒普真空將邀您參加2021中國(guó)(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)。
 
第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新高地,目前我國(guó)正迎來發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計(jì)、晶圓制造加工裝備、封測(cè),正加速實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化。雖然我國(guó)已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場(chǎng),但國(guó)產(chǎn)自給率較低,行業(yè)仍存巨大供需缺口,國(guó)產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。
 
為了更好的把握時(shí)機(jī)推進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸,引領(lǐng)技術(shù)及市場(chǎng)風(fēng)向,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下,定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國(guó)(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)(CASICON 2021)”。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用,助推相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代,屆時(shí)寧波恒普真空也誠(chéng)摯歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
恒普真空
 
恒普真空科技股份有限公司是中國(guó)主要燒結(jié)爐制造廠商之一,擁有完整而堅(jiān)實(shí)的研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì),累積豐富經(jīng)驗(yàn),滿足客戶所需,為客戶創(chuàng)造價(jià)值。公司坐落于浙江省慈溪市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),自留土地26畝,廠房面積20000平方,現(xiàn)有員工286人,其中研發(fā)工程師107人,維修技術(shù)人員23人。公司設(shè)有獨(dú)立實(shí)驗(yàn)樓和全系列檢測(cè)儀器,可以實(shí)現(xiàn)金屬全成分分析、掃描電鏡分析、碳硫氧氮分析、自動(dòng)金相制備分析、材料性能試驗(yàn)、全成分燒結(jié)氣體分析、全自動(dòng)圖像尺寸測(cè)量,滿足客戶檢測(cè)需求。
 
恒普真空在金屬粉末注射成形(MIM)用燒結(jié)爐極具優(yōu)勢(shì),其中真空燒結(jié)爐的技術(shù)已經(jīng)做到國(guó)際領(lǐng)先,進(jìn)步梁式連續(xù)脫脂燒結(jié)爐在國(guó)內(nèi)已廣泛使用并市場(chǎng)領(lǐng)先。在半導(dǎo)體、硬質(zhì)合金、熱處理、非氧化陶瓷、增材制造(AM)、晶體生長(zhǎng)、實(shí)驗(yàn)室等行業(yè)用爐或設(shè)備,具有豐富的設(shè)計(jì)及制造經(jīng)驗(yàn)。
 
恒普真空服務(wù)部門具有15年的售后服務(wù)經(jīng)驗(yàn),是一個(gè)具備優(yōu)秀專業(yè)素質(zhì)和先進(jìn)服務(wù)理念的團(tuán)隊(duì),隨時(shí)待命,確保恒普交付的每一臺(tái)設(shè)備正常運(yùn)行。在設(shè)備到達(dá)客戶現(xiàn)場(chǎng)之后,進(jìn)行安裝和調(diào)試,確保設(shè)備順利運(yùn)行,并進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)操作維護(hù)培訓(xùn)。在保修期內(nèi)對(duì)設(shè)備定期進(jìn)行跟蹤維護(hù),建立服務(wù)檔案。對(duì)設(shè)備出現(xiàn)的問題在第一時(shí)間內(nèi)進(jìn)行回復(fù),并對(duì)客戶的提出的需求及時(shí)跟進(jìn)。
 
恒普真空誠(chéng)摯邀請(qǐng)相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流,共商合作事宜!

更多會(huì)議資料請(qǐng)往下查看:

【組織機(jī)構(gòu)】
 
指導(dǎo)單位
南京大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
 
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號(hào)
 
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

贊助支持單位 
藍(lán)雨軟件技術(shù)開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司
贊助企業(yè)LOGO圖
 
【時(shí)間地點(diǎn)】
 時(shí)間:2021年9月13-14日
地點(diǎn):南京·城市名人酒店(江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號(hào))

【會(huì)議安排】
【報(bào)告嘉賓&主題報(bào)告】

1、9月13日?qǐng)?bào)告(陸續(xù)更新中)
報(bào)告嘉賓:于坤山 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)
主題報(bào)告:中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來展望

報(bào)告嘉賓:
陳堂勝--中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

報(bào)告嘉賓:陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授   
主題報(bào)告:GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
 
報(bào)告嘉賓:劉斯揚(yáng)--東南大學(xué)教授
主題報(bào)告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:
龍世兵--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)
主題報(bào)告:低成本高性能氧化鎵功率器件

報(bào)告嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective

報(bào)告嘉賓:戴小平-湖南國(guó)芯科技總經(jīng)理
主題報(bào)告淺析SiC模塊封裝技術(shù)

報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang  美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit  

報(bào)告嘉賓:龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長(zhǎng)
主題報(bào)告6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)

報(bào)告嘉賓:紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
主題報(bào)告碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:張 云--天津大學(xué)電氣自動(dòng)化與信息工程學(xué)院教授
主題報(bào)告新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運(yùn)行控制
 
2、9月14日?qǐng)?bào)告(陸續(xù)更新中)

報(bào)告嘉賓:
程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

報(bào)告嘉賓:鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究

報(bào)告嘉賓:惠  峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
主題報(bào)告VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

報(bào)告嘉賓:陳 鵬--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告GaN肖特基功率器件新進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices

報(bào)告嘉賓:倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報(bào)告高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與技術(shù)

報(bào)告嘉賓:李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
主題報(bào)告基于HBN 的射頻器件

報(bào)告嘉賓:吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報(bào)告Adopt of SiC devices in EV applications

報(bào)告嘉賓:吳 亮--奧趨光電CEO
主題報(bào)告AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

報(bào)告嘉賓:張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報(bào)告金剛石微波功率器件研究

報(bào)告嘉賓:左  超--愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)
主題報(bào)告量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)

報(bào)告嘉賓:裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁/中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
主題報(bào)告:基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)

報(bào)告嘉賓:王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報(bào)告射頻器件(TBD)

報(bào)告嘉賓:袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報(bào)告面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

報(bào)告嘉賓:劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
主題報(bào)告硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)

報(bào)告嘉賓:黃潤(rùn)華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:英諾賽科科技股份有限公司
主題報(bào)告八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)展(TBD)
 
報(bào)告嘉賓:葉建東--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告
氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

報(bào)告嘉賓:彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任,山東大學(xué)副教授
主題報(bào)告碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

報(bào)告嘉賓:葉念慈--三安集成技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)
主題報(bào)告(TBD)

報(bào)告嘉賓:童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報(bào)告VCSEL 技術(shù) (TBD)

報(bào)告嘉賓:向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理 
主題報(bào)告用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師
主題報(bào)告
Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang  美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching

報(bào)告嘉賓:徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告
面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

報(bào)告嘉賓:郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network

報(bào)告嘉賓:樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員
主題報(bào)告SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?!
 
【擬參與單位】華為、中興、南京大學(xué)、三安光電、東南大學(xué)、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤(rùn)、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學(xué)、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時(shí)代、國(guó)家電網(wǎng)、中芯集成、華潤(rùn)微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學(xué)、江蘇能華、西安交通大學(xué)、北京大學(xué),電子科技大學(xué),河北同光、山東天岳、天津大學(xué)、聚能創(chuàng)芯,賽微電子,南京百識(shí),唐晶量子,天科合達(dá),漢驊半導(dǎo)體,南京百識(shí),大族激光,德儀,江蘇三代半研究院等

【投稿】Oral或Poster :500字左右擴(kuò)展摘要提交到 1957340190@qq.com。

【參會(huì)注冊(cè) 】注冊(cè)費(fèi) 2000 (會(huì)議資料,招待晚宴,自助餐)
開戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬  號(hào):336 356 029 261
名  稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【參會(huì)/贊助/商務(wù)合作】
聯(lián)系人:
賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
南京功率射頻會(huì)議活動(dòng)行
如果您想?yún)?huì),可以直接掃碼預(yù)報(bào)名,我們會(huì)第一時(shí)間和您聯(lián)系!
協(xié)議酒店:城市名人酒店(協(xié)議價(jià)400,含早)
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com 

防疫提示:會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù),目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū),進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明,只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷,體溫?zé)o異常情況下,均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。
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