相較韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最早開(kāi)始采用EUV光刻技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)器與晶圓代工時(shí)程相對(duì)落后。但韓國(guó)媒體《Business Korea》報(bào)導(dǎo)，近期中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)加緊投資EUV光刻技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
目前投資中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)最大外商的美商存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光科技，除決定今年底美國(guó)總部安裝ASML最新曝光設(shè)備N(xiāo)XE：3600D，美光還計(jì)劃在臺(tái)中DRAM工廠(chǎng)安裝相同EUV光刻設(shè)備。代表美光科技將在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)第一顆EUV技術(shù)DRAM，并持續(xù)增加投資。
除了美光科技積極部署EUV光刻技術(shù)，全球DRAM產(chǎn)業(yè)排名第四大的南亞科技也于4月宣布，投資3000億元新臺(tái)幣在新北市興建含EUV光刻設(shè)備的DRAM產(chǎn)線(xiàn)，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)營(yíng)運(yùn)。
晶圓代工龍頭臺(tái)積電的EUV光刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)影響力也有增加。今年第二季起，采用EUV光刻設(shè)備的7納米及更先進(jìn)制程技術(shù)占公司總營(yíng)收49%，正從曝光設(shè)備廠(chǎng)商ASML采購(gòu)更多EUV光刻設(shè)備，增加研發(fā)投入。包括臺(tái)積電自行生產(chǎn)EUV光罩，以提升良率和制程效率。
韓國(guó)三星是全球首家采用EUV光刻技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè)，并在2019年首次量產(chǎn)，如今大規(guī)模發(fā)展EUV技術(shù)的還加上美光科技、臺(tái)積電等中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)。韓國(guó)市場(chǎng)專(zhuān)家指出，基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)擴(kuò)張，預(yù)計(jì)為中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
