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英飛凌:碳化硅擴(kuò)張時(shí)點(diǎn)比預(yù)期更接近

日期:2021-09-08 閱讀:284
核心提示:日經(jīng)亞洲評(píng)論周一(9月6日)報(bào)道,羅姆(Rohm Co.)首席策略官Kazuhide Ino表示,芯片制造商已從攜手打造碳化硅(SiC)市場(chǎng)進(jìn)入了相互競(jìng)爭(zhēng)階段。
日經(jīng)亞洲評(píng)論周一(9月6日)報(bào)道,羅姆(Rohm Co.)首席策略官Kazuhide Ino表示,芯片制造商已從攜手打造碳化硅(SiC)市場(chǎng)進(jìn)入了相互競(jìng)爭(zhēng)階段。法國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement預(yù)估,2026年SiC電源芯片市場(chǎng)規(guī)模將較2020年增長(zhǎng)6倍、達(dá)44.8億美元。
 
德國(guó)芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies)6月推出的電動(dòng)汽車(EV)逆變器SiC模塊將應(yīng)用在現(xiàn)代汽車(Hyundai Motor)次世代EV。與硅相比、這些芯片據(jù)悉可讓EV續(xù)航里程增加5%以上。日本英飛凌經(jīng)理表示,SiC擴(kuò)張時(shí)間點(diǎn)顯然比預(yù)期更加接近。
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