近年來，寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。面對全球能源、信息和環(huán)保領(lǐng)域面臨的一系列重大挑戰(zhàn)，發(fā)展新型高能效半導(dǎo)體電子器件十分必要和迫切。寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件是當(dāng)前和未來重要的研究領(lǐng)域和有挑戰(zhàn)性的方向，是高能效電子器件發(fā)展的重要代表。

 

2021年11月7-10日，第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將在美麗的鷺島廈門舉辦，本屆會議由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會共同主辦，廈門大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。屆時，來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

據(jù)組委會消息，中國科學(xué)院郝躍院士將出席第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議，并帶來題為“寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進(jìn)展”的大會報告。報告將論述寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，給出了電子器件的新進(jìn)展，并展望未來發(fā)展的新方向。

 

欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果，敬請關(guān)注會議，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流。

 

郝躍，中國科學(xué)院院士，西安電子科技大學(xué)教授和學(xué)校學(xué)術(shù)委員會主任，中國電子學(xué)會副理事長。
 

郝院士長期從事微電子學(xué)與固體電子學(xué)的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，他在寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、微波和毫米波半導(dǎo)體器件、集成電路新器件和新材料等方面取得了系統(tǒng)性的成果，2013年當(dāng)選中國科學(xué)院院士，目前兼任國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任，國務(wù)院學(xué)位委員會電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科評議組召集人，以及教育部高等院校電子信息類專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)委員會主任。

附件：會議資料

一、時間地點
會議時間：2021年11月7-10日

會議地點：中國·福建·廈門海悅山莊酒店

二、主承協(xié)辦單位