2021年9月13-14日，由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。

 

屆時(shí)，南京大學(xué)副研究員徐尉宗將受邀出席峰會(huì)，并分享題為“面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)”的主題報(bào)告?；贏lGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣制備的GaN HEMT器件，兼具高電流密度、高耐壓和高開關(guān)頻率優(yōu)勢，是新一代功率電子器件的優(yōu)選方案。為簡化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，以及滿足器件失效安全，增強(qiáng)型GaN HEMT器件是基礎(chǔ)。目前商用增強(qiáng)型GaN HEMT器件主要有兩種，一種是基于p-GaN帽層結(jié)構(gòu)溝道調(diào)控技術(shù)的增強(qiáng)型器件，一種是基于Si基增強(qiáng)型MOSFET的級聯(lián)型器件。相比于級聯(lián)型器件，p型帽層結(jié)構(gòu)器件擁有更低的EMI、更小的動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗，以及更優(yōu)的功率品質(zhì)因子。目前狀態(tài)下，柵壓擺幅限制下的器件可靠性與能效已成為p型帽層結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型GaN HEMT器件所面臨的關(guān)鍵問題。

 

報(bào)告將從p-GaN帽層增強(qiáng)型器件柵壓擺幅受限的物理機(jī)制分析出發(fā)，結(jié)合新型柵極結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，包括反向pn結(jié)帽層結(jié)構(gòu)、極化摻雜p型帽層結(jié)構(gòu)等，系統(tǒng)討論柵極設(shè)計(jì)對器件可靠性及動(dòng)態(tài)損耗的影響規(guī)律，總結(jié)出潛在的面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)。此外，本篇報(bào)告還將結(jié)合報(bào)告人所在團(tuán)隊(duì)在GaN功率二極管方面的研究成果，總結(jié)介紹GaN功率二極管在可靠性與能效方面的關(guān)鍵問題與研究現(xiàn)狀。

 

欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果，敬請關(guān)注峰會(huì)，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜摇W(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。

 

徐尉宗，博士，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副研究員。分別于2012年、2017年在南京大學(xué)物理學(xué)院、電子科學(xué)與工程學(xué)院獲學(xué)士、博士學(xué)位。從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：GaN基功率電子器件、寬禁帶半導(dǎo)體基光電子器件。在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文40余篇，其中以第一作者/通訊作者在IEEE EDL/TPE, Nano Letters等國際知名期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文19篇，主持國家及省部級項(xiàng)目4項(xiàng)。