9月13-14日，“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任陳堂勝帶來了“低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件”的主題報(bào)告，介紹了GaN微波功率器件發(fā)展現(xiàn)狀以及金剛石GaN HEMT近結(jié)散熱技術(shù)進(jìn)展和低溫鍵合金剛石GaN HEMT。
他表示，GaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)已得到充分體現(xiàn)，其工程應(yīng)用也已獲得巨大成功，國(guó)內(nèi)GaN HEMT及MMIC還需進(jìn)一步提升工藝能力，努力在生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大和成本管控上下功夫。金剛石材料與GaN HEMT的結(jié)合可改進(jìn)GaN器件的散熱，進(jìn)一步發(fā)掘GaN HEMT的微波性能優(yōu)勢(shì)，金剛石GaN HEMT是可以期待的新一代固態(tài)微波功率器件技術(shù)。低溫鍵合金剛石GaN具有多方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，55所取得了初步研究結(jié)果。改進(jìn)金剛石襯底的平整度、粗糙度，進(jìn)一步優(yōu)化鍵合工藝，降低鍵合界面空洞率，推進(jìn)金剛石GaN HEMT的工程應(yīng)用是器件工藝研究努力的方向。
他表示，GaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)已得到充分體現(xiàn)，其工程應(yīng)用也已獲得巨大成功，國(guó)內(nèi)GaN HEMT及MMIC還需進(jìn)一步提升工藝能力，努力在生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大和成本管控上下功夫。金剛石材料與GaN HEMT的結(jié)合可改進(jìn)GaN器件的散熱，進(jìn)一步發(fā)掘GaN HEMT的微波性能優(yōu)勢(shì)，金剛石GaN HEMT是可以期待的新一代固態(tài)微波功率器件技術(shù)。低溫鍵合金剛石GaN具有多方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，55所取得了初步研究結(jié)果。改進(jìn)金剛石襯底的平整度、粗糙度，進(jìn)一步優(yōu)化鍵合工藝，降低鍵合界面空洞率，推進(jìn)金剛石GaN HEMT的工程應(yīng)用是器件工藝研究努力的方向。
嘉賓簡(jiǎn)介
陳堂勝，現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司制造工藝領(lǐng)域首席科學(xué)家，長(zhǎng)期從事GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體微波功率器件和單片電路的研制，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。
