9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
會上，Crosslight公司創(chuàng)始人李湛明做了題為“將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角”的主題報告。他表示，對于650V或1200V的商用橫向GaNFET，雪崩可能起到一定作用。需要更多的研究來解釋不同實驗室和不同提取方法的實驗IIR的巨大差異。Crosslight TCAD是雪崩模擬的合適工具，GaNPower擁有1200V GaN設計的控制權。
嘉賓簡介
李湛明早年經(jīng)華人諾獎得主李政道博士創(chuàng)立的中美聯(lián)合培養(yǎng)物理類研究生計劃（CUSPEA）前往北美留學。1995年創(chuàng)立加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司，現(xiàn)已成為全球光電器件及化合物半導體仿真領域知名度最高的商業(yè)軟件公司。2015年創(chuàng)辦了GaNPower International 第三代半導體芯片公司并申請或取得了多項美國和中國與氮化鎵器件相關的發(fā)明專利。李博士發(fā)表了約150篇學術論文及國際專利，并撰寫了兩本有關半導體器件設計和仿真的技術專著。
