9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業(yè)網、第三代半導體產業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導，以及藍雨軟件技術開發(fā)(上海)有限公司、愛發(fā)科商貿(上海)有限公司、寧波恒普真空技術有限公司、蘇州晶湛半導體有限公司、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司、德儀國際貿易(上海)有限公司、大族激光顯示與半導體裝備事業(yè)部、上海翱晶半導體科技有限公司、上海智湖信息技術有限公司、蕪湖啟迪半導體有限公司、湖南國芯半導體科技有限公司等單位的大力支持。

會上，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山帶來了題為“中國功率與射頻技術市場現(xiàn)狀及未來展望”的主題報告。他表示，當前國際企業(yè)上下游延伸趨勢日益明顯，全產業(yè)鏈布局進一步提升競爭優(yōu)勢。并且，國際企業(yè)已經完成大規(guī)模擴產，2020年-2022年產能將逐步釋放。國際龍頭企業(yè)占據(jù)市場主要份額，全球第三代半導體仍然由美日歐企業(yè)主導。

以SiC和GaN為代表的第三代半導體在新能源汽車、5G、光伏發(fā)電、PD快充等領域不斷取得突破，全球第三代半導體市場總體保持增長態(tài)勢。全球半導體2020年市場規(guī)模達到4400億美元，同比增長6.8%。其中，電力電子市場近9億美元。根據(jù)Yole和Omdia數(shù)據(jù)顯示，2020年，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的全球市場8.54億美元，SiC電力電子市場規(guī)模約為7.03億美元，GaN電力電子市場規(guī)模約為1.51億美元。到2025年SiC電力電子市場規(guī)模將超過30億美元，GaN電力電子器件市場規(guī)模將超過6.8億美元。2020年全球功率半導體器件市場規(guī)模約為180~200億美元，SiC、GaN電力電子器件滲透率約為4.2%~4.5%，較2019年提升一個百分點。

第三代半導體微波射頻市場規(guī)模超過8億美元。Yole 2020年數(shù)據(jù)顯示，2020-2025年全球GaN射頻器件的總體市場將以12％的年均復合增長率（CAGR）從8.3億美元增長至超過20億美元。其中，國防應用是GaN射頻器件市場的最重要驅動力量，2020-2025年將以22％的年均復合增長率（CAGR）從3.4億美元增長至超過11.1億美元；5G基站建設是GaN射頻器件市場的另一關鍵驅動力量，2020-2025年將以15％的年均復合增長率（CAGR）從3.7億美元增長至超過7.3億美元；GaN射頻器件在無線寬帶、射頻能量、商業(yè)雷達等市場均呈現(xiàn)增長態(tài)勢。

他指出，國內已經形成了比較完整的產業(yè)鏈，國內第三代半導體產業(yè)已經開始由“導入期”向“成長期”過渡，商業(yè)技術逐步穩(wěn)定、價格接近甜蜜點、應用示范效應拉動，各市場漸次開啟，帶來需求高速增長。截至2020年底，國內有超過170家從事第三代半導體電力電子和微波射頻的企業(yè)，而2018年尚不足100家。同時，國內高度重視，推出新舉措引導和扶持半導體產業(yè)，各級政策持續(xù)跟進。并且國內研發(fā)實力提升，與先進水平差距縮小。資本市場持續(xù)活躍，2020年共24筆投資擴產項目（2019年17筆），投資擴產金額達到694億元（不含GaN光電子），較2019年同比增長161%。

CASA Research數(shù)據(jù)顯示，2020年我國第三代半導體產業(yè)電力電子和射頻電子總產值超過100億元，較2019年增長69.5%。其中，SiC、GaN電力電子產值規(guī)模達44.7億元，同比增長54%，襯底材料約2.2億元，外延及芯片約5億元，器件及模組約7.2億元，裝置約30億元，相較前幾年，中下游的增長速度加快。而GaN微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3%。其中，襯底約6.5億元，外延及芯片9.2億元，器件及模組19.6億元，裝置約25.5億元。

總結時指出，“十四五”是我國第三代半導體產業(yè)發(fā)展的關鍵窗口期，國家雙碳戰(zhàn)略開始布局，新基建、中國制造2025將要收官，巨大的市場需求為功率半導體、射頻技術和產業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了機遇。中國企業(yè)具備做大做強的政策和市場基礎。歷經多年的布局和發(fā)展，我國第三代半導體產業(yè)初步形成了從材料、器件、封測到應用的全產業(yè)鏈，但整體技術和產業(yè)競爭力與國外龍頭企業(yè)相比還存在較大差距，自主可控國產化器件的市場占比還很小，存在與國際差距不斷拉大的風險。未來5年將是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的關鍵期，全球資本加速進入第三代半導體材料、器件領域，產能大幅度提升，競爭不斷加劇，國內企業(yè)更要提前做好應對國際競爭的準備。

 

 

于坤山，教授級高級工程師，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長。曾擔任輸配電及節(jié)電技術國家工程研究中心總工，中國電力科學研究院電力電子公司、中電普瑞科技有限公司副總經理兼總工程師，電力電子研究所、微電子研究所所長、電工新材料及微電子研究所所長等職務。長期從事電力電子和電能質量領域的技術研究和工程應用。

 

近年來，在國內外核心刊物上發(fā)表論文15篇；獲專利34項，其中獲發(fā)明專利授權8項；出版專著兩部，譯著一部。獲國家科技進步二、三等獎各一項，省部級一、二等獎各2項，三等獎一項。1994年享受國務院政府特殊津貼，1999年獲人事部有突出貢獻中青年專家稱號，1999年獲首屆中國電機工程青年科技獎，2000年獲原國家電力公司首屆青年科技創(chuàng)新獎，2007年獲國家電網公司優(yōu)秀專家人才稱號。