9月13-14日，“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，愛發(fā)科商貿(mào)電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)左超帶來了題為“量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了SiC功率器件工藝量產(chǎn)技術(shù)、 新型Si-IGBT器件工藝量產(chǎn)技術(shù)、GaN功率射頻器件量產(chǎn)技術(shù)等成果，涉及SiC 相關(guān)離子注入量產(chǎn)技術(shù)、高溫及常溫注入技術(shù)、碳膜覆蓋技術(shù)、Si-IGBT背面注入技術(shù)、Si-IGBT超薄Wafer解決方案、GaN HEMT制造工程、GaN離子注入技術(shù)、GaN功率器件溝槽刻蝕技術(shù)等。
報(bào)告表示，自動(dòng)駕駛、5G通信、人工智能等新興領(lǐng)域的技術(shù)革新和發(fā)展，對(duì)電子半導(dǎo)體器件的全方位要求不斷提高。愛發(fā)科集團(tuán)致力于各種電子半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域生產(chǎn)技術(shù)的研究和開發(fā)，特別是應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)的下一代智慧能源的功率及射頻器件、MEMS及3D封裝等相關(guān)的真空技術(shù)（離子注入、鍍膜、等離子體刻蝕、灰化等）的研發(fā)和銷售推廣，不斷的為電子半導(dǎo)體制造工藝提供最新的綜合解決方案。
嘉賓簡(jiǎn)介
左超，2009年加入愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司，現(xiàn)負(fù)責(zé)公司中國(guó)區(qū)部分電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的真空設(shè)備的銷售推廣工作。同時(shí)，兼任負(fù)責(zé)功率射頻器件、MEMS電子部品、光學(xué)微顯示以及先進(jìn)封裝等眾多半導(dǎo)體和電子真空技術(shù)的研發(fā)、項(xiàng)目管理及合作交流等工作。
