微波功率器件廣泛應(yīng)用于無線通信，雷達(dá)與電子對抗，軍事裝備以及醫(yī)療電子等系統(tǒng)中，金剛石可實現(xiàn)具有更高功率密度、高截止頻率、更高工作溫度、耐輻照、可工作于惡劣環(huán)境的電子器件候選。半導(dǎo)體器件不斷向更高頻率、更大功率、更高可靠性方向發(fā)展，繼Si、GaAs、GaN之后，金剛石可用于下一代更高頻率、更大功率半導(dǎo)體材料與器件。

 

9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。

會上，微波功率器件廣泛應(yīng)用于無線通信，雷達(dá)與電子對抗，軍事裝備以及醫(yī)療電子等系統(tǒng)中。中電科第十三研究所郭建超帶來了“金剛石微波功率器件研究”的主題報告，結(jié)合具體的數(shù)據(jù)，報告從帶溝道金剛石材料、金剛石微波功率器件等角度分享了最新研究進(jìn)展。

 

報告指出，電子級金剛石材料制備是其器件應(yīng)用的前提，MPCVD是目前獲得器件級金剛石的最佳技術(shù)。材料外延受襯底取向、晶體質(zhì)量和表面狀態(tài)的影響。器件要求表面的平整度需達(dá)到原子級別，高質(zhì)量表面加工技術(shù)也尤為重要。高性能導(dǎo)電溝道是RF器件基礎(chǔ)。

 

當(dāng)前研究結(jié)果顯示，目前2GHz輸出功率密度2.5W/mm，領(lǐng)先于國外。