9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司Amagad Ali Hasan博士分享了《基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)》的主題報告，建模技術(shù)是連接器件制造和IC設(shè)計的重要節(jié)點，對整個IC系統(tǒng)產(chǎn)生影響。報告從基于物理的模型意義、物理模型的分類、GaN模型綜述、建模挑戰(zhàn)、溫度和濃度模擬以及建模遠景進行了詳細介紹。
涉及到基于物理的緊湊模型、Angelov-GaN 模型、MVSG (MIT) 模型、ASM 模型等?；谖锢淼木o湊模型挑戰(zhàn)涉及提高模型的可靠性和準確性、提高設(shè)計IC的可預(yù)測性、更深入地了解設(shè)備物理、將技術(shù)與設(shè)備響應(yīng)相關(guān)聯(lián)、研究相位和幅度互調(diào)等非線性過程、準確估計通道溫度、具有非線性熱導(dǎo)率的通道溫度、通道溫度計算的通用方法、通道溫度計算的通用方法等。
