半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)能有效突破器件實(shí)驗(yàn)表象，可視化器件內(nèi)部最根本的物理機(jī)制，加深對(duì)半導(dǎo)體器件物理的理解，助力于半導(dǎo)體器件架構(gòu)的優(yōu)化和制。
近日，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（公號(hào)）、博聞創(chuàng)意會(huì)展（深圳）有限公司主辦的“2021第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國(guó)際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。
會(huì)上，深圳市貝思科爾軟件技術(shù)有限公司總經(jīng)理邱志國(guó)帶來(lái)了“第三代半導(dǎo)體器件的熱測(cè)試與仿真解決方案”的主題報(bào)告，分享了最新成果。功率半導(dǎo)體器件又稱電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏及以上）。功率半導(dǎo)體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡(jiǎn)寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類。
功率模組是將多個(gè)分立功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行模塊化封裝；功率IC對(duì)應(yīng)將分立功率半導(dǎo)體器件與驅(qū)動(dòng)/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測(cè)等外圍電路集成；分立功率半導(dǎo)體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。高溫是半導(dǎo)體可靠性故障的主要原因，熱設(shè)計(jì)對(duì)電子產(chǎn)品的重要性。報(bào)告詳細(xì)分享了基于Simcenter T3Ster/PWT的熱可靠性測(cè)試解決方案和基于Simcenter FloTHERM/FloEFD的熱仿真解決方案等內(nèi)容。
涉及先進(jìn)的熱測(cè)試方法：電學(xué)測(cè)試法(ETM)，溫度系數(shù)（K Factor）測(cè)試，瞬態(tài)熱測(cè)試原理及結(jié)構(gòu)函數(shù)（Structure Function），結(jié)構(gòu)函數(shù)，熱阻模型的精細(xì)化：結(jié)構(gòu)函數(shù)與熱分布的關(guān)系，實(shí)測(cè)案例---器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)可視化，基于PowerTester實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體模塊熱可靠性、壽命預(yù)測(cè)，CFD熱仿真流程步驟，基于FloTHERM/FloEFD完成IGBT熱仿真分析等。
嘉賓簡(jiǎn)介
邱志國(guó)，從事PCB制造及電子裝聯(lián)3年，EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）/CAE（計(jì)算機(jī)輔助工程）7年，主要研究半導(dǎo)體芯片原理圖、版圖設(shè)計(jì)及物理驗(yàn)證，以及電子產(chǎn)品散熱仿真及IGBT模塊功率循環(huán)（Power Cycling）測(cè)試方案；擁有豐富的產(chǎn)品線市場(chǎng)推廣方案及項(xiàng)目合作經(jīng)驗(yàn)。
