隨著市場對快充適配器功率密度的不斷追求，適配器的開關頻率逐漸提升，以縮小內部元件體積，傳統(tǒng)的Si MOS器件，開關損耗和驅動損耗已經明顯拉低了適配器的轉換效率，器件限制不能繼續(xù)提高工作頻率，限制了磁性元件的縮小，不能進一步提升適配器的功率密度。

 

近日，由半導體產業(yè)網、第三代半導體產業(yè)（公號）、博聞創(chuàng)意會展（深圳）有限公司共同主辦的“2021第三代半導體技術及充電產業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。論壇特別邀請第三代半導體相關專家、快充產業(yè)鏈相關專家及企業(yè)代表，探討第三代半導體技術及充電產業(yè)機遇與挑戰(zhàn)。英諾賽科科技有公司高級產品應用經理鄒艷波帶來了題為“All GaN 系列方案在快充領域的應用”的主題報告。分享了All-GaN 創(chuàng)新解決方案。

英諾賽科科技有公司高級產品應用經理 鄒艷波

他表示，大功率快充期望功率密度進一步提高，InnoGaN 30W~120W 功率段終端產品上市，更多中大功率的設備將使用GaN PD快充。

同時，報告還詳細介紹了65W、120W、240WAll-GaN 創(chuàng)新解決方案，其中，65W2C1A，開關頻率：400KHZ功率密度：25W/in3；120W 單C，開關頻率：400KHZ，功率密度：38W/in3；240W 48V/5A，開關頻率：500KHZ，功率密度：41W/in3。

他表示，英諾賽科是全球首條8英寸硅基氮化鎵IDM量產線，全球專利700+，產品主要為30V-650V GaN FET，目前在珠海和深圳擁有研發(fā)生產基地，深圳擁有市場和應用基地，2021年底產能可達1萬片晶圓/月。未來，氮化鎵的應用將在消費類電子、工業(yè)和汽車領域的創(chuàng)新應用值得期待。

鄒艷波，有豐富的氮化鎵器件應用于高頻高密電源開發(fā)經驗，原任職于ICT領域知名企業(yè)，從事手機、AI智能云服務器和5G通信設備的供電解決方案的前沿技術的研究和開發(fā)。現(xiàn)負責氮化鎵器件產品應用開發(fā)與規(guī)劃，構建公司氮化鎵器件產品在5G通信，新能源汽車，智能手機，人工智能，大數據中心等戰(zhàn)略新興領域的競爭力。