現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料提出了高壓、高頻、高功率、高溫以及抗輻射等新要求，碳化硅憑借禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大等特性，對(duì)電力電子行業(yè)發(fā)展有著巨大影響。并在智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車、軌道交通、新能源并網(wǎng)、開關(guān)電源、工業(yè)電機(jī)以及家用電器等領(lǐng)域得到應(yīng)用，展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。
碳化硅 (SiC) 現(xiàn)已廣泛用于商用高壓電子開關(guān)設(shè)備。利用擊穿的高臨界場(chǎng)，提高摻雜水平，減小阻擋區(qū)的寬度；因此，與硅高壓開關(guān)相比，導(dǎo)通電阻降低了400倍。寬帶隙會(huì)導(dǎo)致本征載流子濃度的強(qiáng)烈降低，因此可以在高溫下工作。即使在500–800°C 或更高的溫度范圍內(nèi)，SiC器件和集成電路也能運(yùn)行。
研究SiC電子產(chǎn)品的另一個(gè)極端環(huán)境是抗輻射環(huán)境，例如航空航天和核能。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展對(duì)電子系統(tǒng)也提出了越來越高的抗輻照要求?？臻g和航天技術(shù)使人們?cè)偻鈱涌臻g的活動(dòng)日益增多，但宇宙射線和圍繞地球的范.艾倫輻射帶卻時(shí)刻在向外層空間飛行用電子系統(tǒng)的可靠性發(fā)出挑戰(zhàn)。航天飛行器及核潛艇所使用核反應(yīng)堆的體積由于要受到限制，使得所使用的控制及測(cè)量設(shè)備不能得到充分的輻射屏蔽，那么提高電子系統(tǒng)的抗輻射能力對(duì)于提高整個(gè)設(shè)備的運(yùn)行質(zhì)量和延長(zhǎng)使用壽命就非常關(guān)鍵?？萍嫉倪M(jìn)步會(huì)把人們拖入更多的輻射環(huán)境中，
如何減少微電子器件的輻照損傷，人們已提出了從材料選擇到微電子器件內(nèi)的電路設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制作工藝等許多方面的加固技術(shù)。近幾年來生長(zhǎng)工藝日趨完善的SiC在抗輻照領(lǐng)域顯示出了強(qiáng)大的發(fā)展?jié)摿Γ琒iC材料的寬禁帶和高的原子臨界位移能決定了其器件具有強(qiáng)的抗電磁波沖擊和高的抗輻射破壞的能力。如果SiC器件結(jié)構(gòu)參數(shù)能進(jìn)一步優(yōu)化，其抗輻照能力有望再得到提高。
在尋求新一代抗輻照半導(dǎo)體材料的同時(shí)，研制耐高溫，大功率和高頻的半導(dǎo)體器件是90年代以來微電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)，SiC作為第三代半導(dǎo)體是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其優(yōu)異的性能順應(yīng)了時(shí)代的要求，SiC器件會(huì)在航空、航天、核能、汽車及通信等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
2021年12月6-8日，半導(dǎo)體領(lǐng)域的年度盛會(huì)，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）將于深圳舉行。此次，瑞典皇家理工學(xué)院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling將出席IFWS & SSLCHINA 2021并做題為《用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路》（SiC Integrated Circuits for Extreme Environment Electronics）大會(huì)報(bào)告，分享用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路的最新研究成果，并且將展示和討論與“在金星上工作”項(xiàng)目相關(guān)的七年多批次內(nèi)部雙極和CMOS集成電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
嘉賓簡(jiǎn)介
Carl-Mikael Zetterling教授畢業(yè)于瑞典皇家理工學(xué)院（KTH） ，分別于1991年和1997年獲得碩士和博士學(xué)位。1997年，入職KTH電氣工程學(xué)院，他自2005年起擔(dān)任固態(tài)電子學(xué)教授，自2018 年起擔(dān)任電子和嵌入式系統(tǒng)部門負(fù)責(zé)人。1995-1996年，斯坦福大學(xué)集成系統(tǒng)中心特邀學(xué)者。1998年、2001年，兩次赴日本京都大學(xué)擔(dān)任特邀教授。
Zetterling 教授的研究領(lǐng)域是高壓功率器件的工藝技術(shù)和器件設(shè)計(jì)，以及碳化硅中的高溫輻射硬模擬和數(shù)字集成電路。他是KTH“在金星上工作”項(xiàng)目的主要參與人之一。他與他人合作發(fā)表了約 280 篇學(xué)術(shù)論文（包括期刊與會(huì)議），包括編輯一本關(guān)于碳化硅器件工藝技術(shù)的書，并與Jude Carroll合著關(guān)于學(xué)術(shù)誠(chéng)信的著作。Zetterling教授曾在TMS電子材料會(huì)議和IEEE SISC會(huì)議的技術(shù)程序委員會(huì)任職。他是IEEE Journal of the Electron Devices Society 的編輯。
關(guān)于論壇
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過去的六年時(shí)間里，IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng)，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個(gè)專業(yè)報(bào)告，累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體論壇同時(shí)同地舉辦，同臺(tái)匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來。
IFWS & SSLCHINA 2021旨在推動(dòng)半導(dǎo)體照明技術(shù)的革新與跨界應(yīng)用，積極促進(jìn)第三代半導(dǎo)體在電力電子、光電、移動(dòng)通信等領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、器件、模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，并為全球范圍內(nèi)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的交流與合作提供平臺(tái)。
論壇聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、失策與機(jī)遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
時(shí)間&地點(diǎn)
會(huì)議時(shí)間：2021年12月6-8
會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó)-廣東-深圳會(huì)展中心
論壇主題 ：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
日程總覽
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據(jù)悉，論壇會(huì)期設(shè)置了功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇等七大分論壇，分論壇下設(shè)27場(chǎng)次主題分會(huì)。
其中，功率電子器件與應(yīng)用論壇下設(shè)碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、功率模塊封裝及可靠性、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等主題分會(huì)；射頻電子器件與應(yīng)用論壇涵蓋氮化鎵射頻器件、射頻應(yīng)用技術(shù)等主題分會(huì)；材料與裝備論壇下設(shè)碳化硅襯底與外延、氮化鎵襯底與外延、超寬禁帶半導(dǎo)體材料、生長(zhǎng)裝備與其他裝備等主題分會(huì)；半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇下設(shè)半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性，智慧照明與智慧城市，景觀設(shè)計(jì)與文旅燈光等分會(huì)；Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇設(shè)有Mini/Micro-LED技術(shù)，Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)，激光顯示技術(shù)，鈣鈦礦與量子點(diǎn)，OLED與其他新型顯示技術(shù)主題分會(huì)；超越照明論壇設(shè)有光健康、光醫(yī)療、光品質(zhì)、光通信與感知技術(shù)、生物與農(nóng)業(yè)光照技術(shù)設(shè)有主題分會(huì)；固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇下設(shè)固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)、紫外模塊封裝技術(shù)、紫外器件應(yīng)用等主題分會(huì)。
同時(shí)，為應(yīng)對(duì)汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“缺芯”及產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)接難題，論壇擬設(shè)置車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)，幫助汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)秀企業(yè)，在了解國(guó)際前沿技術(shù)的同時(shí)，為推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化器件及應(yīng)用提供支撐和幫助。為了搭建更充分的交流平臺(tái)，論壇擬設(shè)置青年學(xué)術(shù)論壇、聯(lián)盟活動(dòng)、交流與展示等眾多同期活動(dòng)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
備注：
＊國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊SSL相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)與投資峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)與投資峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)與投資峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括景觀設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、自動(dòng)駕駛時(shí)代的汽車照明、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)、射頻應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元）。
＊自助餐包含：12月6-8日午餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年10月15之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受早鳥折扣票（詳見上圖），國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
征文投稿時(shí)間節(jié)點(diǎn)
1.第一輪摘要錄用通知：2021年9月1日（請(qǐng)注意查看郵箱）
2.第二輪摘要/全文提交截止日期：2021年10月15日
3.第二輪論文錄用通知：2021年11月1日
4.口頭報(bào)告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月22日
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