11月9日，第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議在廈門勝利閉幕。
在閉幕大會(huì)報(bào)告環(huán)節(jié)，香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員、英國(guó)謝菲爾德大學(xué)王濤教授、北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授、臺(tái)灣交通大學(xué)郭浩中教授、山東大學(xué)副教授彭燕等嘉賓帶來了精彩報(bào)告。沈波教授和半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員李晉閩共同主持了閉幕大會(huì)報(bào)告環(huán)節(jié)。
北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授主持大會(huì)報(bào)告環(huán)節(jié)
香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授云視頻報(bào)告
香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授遠(yuǎn)程視頻的方式帶來了題為“高性能GaN垂直溝槽柵極MOSFET”的主題報(bào)告，具體分享了GaN功率晶體管：橫向和縱向設(shè)計(jì);GaN垂直溝槽MOSFET的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)；不同清洗處理器的設(shè)備結(jié)果；具有厚底電介質(zhì)的器件設(shè)計(jì)；厚底電介質(zhì)工藝等內(nèi)容。
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員詳細(xì)分享了氮化鎵單晶材料的HVPE法與液相法生長(zhǎng)研究的最新成果。涉及GaN在尺寸Si襯底上的MOCVD外延生長(zhǎng)、GaN在藍(lán)寶石襯底上的MBE外延生長(zhǎng)，HVPE方法和生長(zhǎng)裝備，HVPE生長(zhǎng)GaN單晶襯底的現(xiàn)狀，從界面到表面的應(yīng)力調(diào)控和應(yīng)力分布，HVPE方法生長(zhǎng)GaN的厚度和位錯(cuò)密度的關(guān)系，生長(zhǎng)界面調(diào)控和應(yīng)力調(diào)控，降低位錯(cuò)密度，氨熱法生長(zhǎng)GaN的原理和裝備等。報(bào)告同時(shí)指出，GaN單晶材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵難題是面臨各類器件的特殊需求的挑戰(zhàn)，比如更大的晶面尺寸，更高的晶體質(zhì)量，更優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量，更優(yōu)異的電學(xué)性能，合適的鏡面取向，更低的成本等。
英國(guó)謝菲爾德大學(xué)王濤教授云視頻報(bào)告
英國(guó)謝菲爾德大學(xué)王濤教授遠(yuǎn)程視頻的方式分享了關(guān)于用于微型顯示器和VLC的μLED和HEMT的，一種實(shí)現(xiàn)單片片上集成的直接外延方法。涉及到μLED顯示屏的當(dāng)前狀態(tài)、內(nèi)量子效率、外延生長(zhǎng)，在單芯片上實(shí)現(xiàn)單片集成μLED/HEMT微顯示的外延等。報(bào)告指出，研究開發(fā)出了一種新的選擇性外延方法，在不涉及任何干蝕刻的情況下實(shí)現(xiàn)微型 LED；新的選擇性外延方法，以集成具有最高EQE和最窄光譜線寬的μLED/晶格匹配DBR等。
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員主持大會(huì)報(bào)告環(huán)節(jié)
北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授分享大會(huì)報(bào)告
AIN是具有戰(zhàn)略意義的超寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度6-2eV,高擊穿場(chǎng)強(qiáng)11.7MV/cm,高熱導(dǎo)率3.41W/cm.K，具有二階和三階光學(xué)非線性。與GaN晶格失配率2.4%，熱膨脹系數(shù)非常接近，在深紫外光電器件，高功率密度電子器件、濾波器、非線性光學(xué)器件等領(lǐng)域，具有不可替代的重要應(yīng)用。北京大學(xué)沈波教授做了題為“高質(zhì)量AIN單晶襯底和外延薄膜的制備”的主題報(bào)告，具體分享了AIN單晶襯底的PVT生長(zhǎng)，藍(lán)寶石上AIN薄膜的MOCVD外延生長(zhǎng)，Si襯底上AIN薄膜的MOCVD外延生長(zhǎng)等最新研究進(jìn)展。報(bào)告指出，AIN單晶襯底和高質(zhì)量AIN外延薄膜是寬禁帶半導(dǎo)體器件發(fā)展的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，是國(guó)家的戰(zhàn)略需求，也是國(guó)際上尚未攻破的難題之一。研究創(chuàng)新發(fā)展了“蔓延式PVT生長(zhǎng)”方法，研制了PVT專用裝備，初步解決了一系列技術(shù)難題，成功研制出2英寸AIN晶體和襯底晶片。創(chuàng)新發(fā)展了“小合攏區(qū)NPSS側(cè)向外延”方法，藍(lán)寶石襯底上AIN外延層XRD搖擺曲線半高寬132（002）/140（102）arcsec;AIGaN基MQW發(fā)光波長(zhǎng)276nm時(shí)IQE達(dá)83.1%，p-AIGaN基MQW發(fā)光波長(zhǎng)276nm時(shí)IQE達(dá)83.1%。研究也創(chuàng)新發(fā)展了“納米圖形化符合AIN/Si襯底”技術(shù)，Si襯底上AIN外延薄膜XRD搖擺曲線半高寬409（002）/677（102）arcsec .
臺(tái)灣交通大學(xué)郭浩中教授云視頻報(bào)告
臺(tái)灣交通大學(xué)郭浩中教授介紹了用于全彩顯示和VLC的新型 microLED的最新技術(shù)成果以及相關(guān)應(yīng)用的研究進(jìn)展，包括下一代顯示技術(shù)，MicroLED的全彩挑戰(zhàn)、嵌入量子點(diǎn)的高均勻性和高效率納米多孔GaN用于顏色轉(zhuǎn)換MicroLED顯示器，具有VLC應(yīng)用潛力的高穩(wěn)定性全彩顯示設(shè)備，高速綠色半極性等。
山東大學(xué)副教授彭燕云視頻報(bào)告
“芯片之爭(zhēng)就是材料之爭(zhēng)，沒有材料核心技術(shù)，就相當(dāng)于在別人的地基上蓋房子，再大也不堪一擊”，一代材料，一代芯片，半導(dǎo)體材料具有核心地位，當(dāng)前從研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)，進(jìn)入產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展期，“十四五”開局之年，國(guó)家啟動(dòng)了多項(xiàng)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，涉及新型顯示和戰(zhàn)略電子材料、高性能制造技術(shù)與重大裝備等，政策支持力度更大，資產(chǎn)市場(chǎng)活躍。也面臨著應(yīng)用市場(chǎng)需求增長(zhǎng)等機(jī)遇。山東大學(xué)副教授彭燕通過云視頻方式帶來了題為“碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了SiC材料研究進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀等內(nèi)容，包括SiC功率器件，SiC基射頻器件，SiC生長(zhǎng)系統(tǒng)，SiC中位錯(cuò)缺陷等。其中，報(bào)告指出，國(guó)內(nèi)SiC商業(yè)化襯底以4英寸為主，逐步向6英寸過渡。微管密度小于1個(gè)/cm2 ，實(shí)現(xiàn)95%的襯底可用面積，存在單晶性能一致性差，成品率低下啊，成本高等問題，國(guó)產(chǎn)高性能襯底自給率仍然較低，占全球的市場(chǎng)份額不到5%等，
廈門大學(xué)康俊勇教授主持大會(huì)閉幕環(huán)節(jié)
大會(huì)組委會(huì)秘書處高娜秘書長(zhǎng)
大會(huì)報(bào)告結(jié)束后，廈門大學(xué)康俊勇教授主持了大會(huì)閉幕式環(huán)節(jié)，本次會(huì)議組委會(huì)秘書處高娜秘書長(zhǎng)代表組委會(huì)介紹了本屆會(huì)議籌辦情況。她表示，本次會(huì)議得到了業(yè)界、學(xué)界廣泛的支持與積極參與，感謝主辦單位及所有現(xiàn)場(chǎng)參與單位和代表的暖心支持和幫助，也感謝默默守候在云端，與我們進(jìn)行學(xué)術(shù)交流的專家學(xué)者們，感謝大會(huì)主席張榮校長(zhǎng)，大會(huì)執(zhí)行主席康俊勇教授不顧疲憊的細(xì)心指導(dǎo)每個(gè)細(xì)節(jié)，衷心感謝廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組，以及所有臺(tái)前幕后老師和志愿者們的辛勤付出。會(huì)議為期兩天，包含開閉幕式兩場(chǎng)大會(huì)，大會(huì)報(bào)告12個(gè)，邀請(qǐng)報(bào)告58個(gè)，口頭報(bào)告71個(gè)，海報(bào)展示186個(gè)，并設(shè)計(jì)了五個(gè)分會(huì)場(chǎng)，五個(gè)分論壇。根據(jù)注冊(cè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示參會(huì)代表超過600人，因疫情原因?qū)嶋H參會(huì)代表超過500人，線上開閉幕式報(bào)告直播觀看人次超過13000+。
張榮校長(zhǎng)、張國(guó)義教授、徐科研究員為優(yōu)秀青年論壇邀請(qǐng)報(bào)告獲獎(jiǎng)?wù)哳C獎(jiǎng)
黎大兵研究員、劉斌教授為最佳海報(bào)獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)?wù)哳C獎(jiǎng)
此外，閉幕式上，廈門大學(xué)張榮校長(zhǎng)、北京大學(xué)張國(guó)義教授、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員共同為優(yōu)秀青年論壇邀請(qǐng)報(bào)告頒獎(jiǎng)，長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所博導(dǎo)黎大兵研究員與南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)劉斌教授共同為本次會(huì)議最佳海報(bào)獎(jiǎng)獲得者頒發(fā)獎(jiǎng)勵(lì)。
康俊勇教授宣布大會(huì)閉幕
最后，康俊勇教授介紹了大會(huì)委員會(huì)會(huì)議討論情況，并對(duì)下一屆會(huì)議的組織籌備充滿期待，并宣布本屆大會(huì)圓滿閉幕！
同時(shí)，大會(huì)組委會(huì)為豐富參會(huì)代表本次學(xué)習(xí)行程，11月10日，還特別組織安排考察三安光電股份有限公司和集美學(xué)村—集美大學(xué)。
【特別說明】
此次大會(huì)同時(shí)開通了開閉幕式精彩主題報(bào)告現(xiàn)場(chǎng)直播，更有圖片直播實(shí)時(shí)呈現(xiàn)，與業(yè)界共享精彩內(nèi)容，更多詳細(xì)豐富內(nèi)容可點(diǎn)擊以下鏈接觀看：
