2021年11月7-10日，以“芯動力 新征程——寬禁帶半導體的機遇與挑戰(zhàn)”為主題的第四屆全國寬禁帶半導體學術(shù)會議在廈門盛大召開。

 

 

 

近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導體材料，半導體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領域繼續(xù)深入發(fā)展。本屆會議由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會、中國電子學會電子材料學分會、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)聯(lián)合主辦，廈門大學、南京大學承辦，福建省半導體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心、福建省半導體材料及應用重點實驗室、廈門市未來顯示技術(shù)研究院、廈門大學物理科學與技術(shù)學院、微納光電子材料與器件教育部工程研究中心、半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司全力協(xié)辦。

 

其中，中科潞安、亞格盛電子、中微公司、先普、奧趨光電、Crystal、昂坤視覺、南大光電、Novel Crystal、中鎵半導體、金竟科技、力冠微電子裝備、良允科技、化合積電、志橙半導體、南京伯奢詠懷、上海翱晶、卓立漢光、納維科技、尚勤光電、邁塔光電、中電化合物、恒普真空、鎵特半導體、中紫半導體、泰克科技、鵬城半導體、鴻陽科技、JAPAN CREATE、江蘇第三代半導體研究院、元旭半導體在內(nèi)的國內(nèi)外知名廠商的參與展示，以及來自國內(nèi)寬禁帶半導體領域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表近150家單位超500人參與。圍繞寬禁帶半導體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設備研發(fā)等領域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學研用的交流合作。

 

 

 

開幕大會

 

在11月8日上午召開的開幕大會上，中國科學院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍，大會主席、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲，大會主席、廈門大學校長張榮教授，集美大學黨委書記沈燦煌，廈門市科技局局長孔曙光，中國有色金屬學會寬禁帶專業(yè)委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、中國科學院半導體研究所研究員李晉閩，北京大學理學部副主任沈波教授，江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長、廈門大學講座教授邱宇峰，東北師范大學副校長徐海陽教授，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山，三安光電股份有限公司總經(jīng)理林科闖，廈門光莆電子股份有限公司董事長林瑞梅等一大批國內(nèi)寬禁帶半導體領域業(yè)界資深專家、教授和優(yōu)秀中青年學者、以及產(chǎn)業(yè)界科研技術(shù)人員、機構(gòu)嘉賓、院校師生、企業(yè)家代表等超500人參與本次學術(shù)盛會。

 

大會現(xiàn)場

 

在8日上午召開的開幕式上，廈門大學校長張榮教授，中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學教授郝躍，中國有色金屬學會寬禁帶專業(yè)委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲，廈門科技局孔曙光局長先后為大會致開幕詞。因新冠肺炎疫情阻隔，諾貝爾物理學獎獲得者天野浩（Hiroshi Amano）教授通過視頻方式為本屆會議致辭。

 

 

廈門大學校長張榮教授

 

張榮校長致辭時表示，廈門大學是國內(nèi)最早創(chuàng)辦半導體學科的高校之一，廈門大學半導體研究和廈門半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展共同進步，在政府和產(chǎn)業(yè)的支持下不斷取得新進展，利用地緣優(yōu)勢，廈門大學與當?shù)氐娜补怆?、光莆電子、乾照光電等企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)，重點開展關(guān)于基于寬禁帶半導體的固態(tài)照明光源、深紫外消殺技術(shù)等方面的交流合作，推動寬禁帶半導體的技術(shù)轉(zhuǎn)化和創(chuàng)新。今年是國家“十四五”的開局之年，站在新起點，新征程上，如何邁好我國寬禁帶半導體發(fā)展的步伐至關(guān)重要，面對當前的科技博弈，科技的自立自強，是應對風險挑戰(zhàn)的必然選擇。

 

 

中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學教授郝躍

 

郝躍院士致辭時表示，寬禁帶半導體被列為國家“十四五”發(fā)展規(guī)劃中，國家自然科學基金委非常關(guān)注寬禁帶與超寬禁帶半導體的發(fā)展，希望從基礎研究的角度不斷推進寬禁帶和超寬禁帶半導體的發(fā)展，先從重大項目群開始，成熟后考慮再推進重大研究計劃，推進寬禁帶和超寬禁帶半導體基礎研究的關(guān)鍵和核心技術(shù)的突破，利用這次機會，希望廣大業(yè)界同仁可以探討寬禁帶半導體的發(fā)展，以及如何利用好機遇，不斷推進產(chǎn)業(yè)的進步和發(fā)展。

 

中國有色金屬學會寬禁帶專業(yè)委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義

 

張國義教授致辭時表示，以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體發(fā)展是國際熱點，在半導體照明領域已經(jīng)形成規(guī)?；漠a(chǎn)業(yè)，在功率器件和射頻器件方面不斷深入發(fā)展，氮化鎵、金剛石等為代表的新材料半導體迅速發(fā)展，一些新的材料正在擴展，寬禁帶半導體未來會越來越寬廣。會議對于促進交流，協(xié)同創(chuàng)新起到了積極的作用，也得到高度認可，影響力日益增大，希望大家通過此次會議廣泛的討論交流，發(fā)現(xiàn)合作機會，實現(xiàn)優(yōu)勢互補，助力我國搶占寬禁帶半導體國際戰(zhàn)略制高點，推動科學技術(shù)發(fā)展進步。

 

 

諾貝爾物理學獎獲得者天野浩（Hiroshi Amano）教授

 

Amano教授視頻致辭時表示，寬禁帶半導體在解決全球性的問題上，正變得越來越重要，比如硅基功率器件面臨的不足，可以利用寬禁帶半導體來解決，基于寬禁帶半導體的高頻晶體管能夠為5G甚至是5G之后的無線通信系統(tǒng)提供支持，此外，還可以用于抑制新型冠狀肺炎傳播的深紫外消毒器制備。深信會議能圓滿成功，所有與會者都能享受到精彩的演講和熱烈的討論，并啟迪下一步的創(chuàng)新和研發(fā)。

 

 

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲

 

吳玲理事長致辭時表示，從國際形勢來看，我們面臨非常嚴峻的發(fā)展環(huán)境，半導體在科技創(chuàng)新，產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面到了一個很關(guān)鍵的時期，寬禁帶半導體不僅僅在支撐雙碳實現(xiàn)，支撐數(shù)字化，智能化以及產(chǎn)業(yè)提升等方面具有非常重要的作用，而且如果能和我國巨大的能源，交通，信息，智能制造巨大市場需求相結(jié)合，有可能形成在全球的技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)制衡，重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。第三代半導體的發(fā)展對業(yè)界同仁也是千載難逢的機遇，希望大家利用好這次會議的平臺充分交流討論，推動政產(chǎn)學研深度融合，以及學科的交叉融合發(fā)展，也希望廈門利用好這次機會，如同推動半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，再次做出表率。

 

 

廈門科技局孔曙光局長

 

孔曙光局長致辭時表示，寬禁帶半導體的發(fā)展速度非?？?，廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎好，發(fā)展速度快，經(jīng)過多年的發(fā)展，在光電領域已經(jīng)有很好的積累，在發(fā)展寬禁帶半導體中具有優(yōu)勢。2019年廈門就啟動了未來產(chǎn)業(yè)培育工程，進行搶先布局，第三代半導體是其中之一，力爭2025年實現(xiàn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)的產(chǎn)值能達到200億元以上，目前也形成了碳化硅和氮化鎵兩條產(chǎn)業(yè)鏈，廈門也積極推動布局，增大原始創(chuàng)新能力，希望大家共同努力，共創(chuàng)美好明天。

 

中科院院士、西安電子科技大學郝躍教授分享大會報告

 

中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學郝躍教授帶來了“寬禁帶半導體電子器件新進展”的主題報告；三安光電股份有限公司林科闖總經(jīng)理帶來了“大功率GaN藍綠激光器芯片設計、生長和制作 ”的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了基于寬禁帶半導體量子結(jié)構(gòu)的物理效應與器件應用；中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了“紫外LED研發(fā)及應用進展”的主題報告；廈門大學講座教授邱宇峰分享了18 kV SiC IGBT的研制；TKK創(chuàng)新實驗室教授Yogi Ota分享了寬帶隙半導體、研發(fā)歷史和實踐。幾大精彩主題報告，從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)，趨勢的角度，廣度與深度結(jié)合，高屋建瓴，酣暢淋漓，帶來一場知識與認知的激蕩。

 

郝躍院士在報告中指出：“如今從世界范圍來看，寬禁帶半導體越來越得到重視，以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體開始進入發(fā)展成熟期，已經(jīng)從研究階段逐步向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，其中寬禁帶半導體商用化程度越來越高，包括氮化鎵、碳化硅等，而超寬禁帶半導體包括金剛石、氧化鎵和氮化鋁等研究也有了進展。”同時在報告中也詳細分享高頻與超高頻電子器件，毫米波GaN SBD、高線性GaN半導體器件，低電壓GaN半導體器件-5G/6G射頻終端器件，Si基GaN—高阻低損耗低翹曲外延與器件技術(shù)，超臨界流體提高4H-SiC MOSFET器件性能等最新進展以及相關(guān)成果。

 

 

廈門大學校長張榮教授分享大會報告

 

量子結(jié)構(gòu)材料與器件是近年來光電信息功能材料與器件研制的前沿，廈門大學校長張榮教授在報告中，詳細分享了基于寬禁帶半導體量子結(jié)構(gòu)的物理效應與器件應用的最新進展以及研究成果，涉及到半導體帶隙工程、態(tài)密度工程與元激發(fā)工程，利用帶隙工程提升器件光電性能，利用態(tài)密度工程改善光發(fā)射性能，基于元激發(fā)工程的新型發(fā)光器件等。報告指出，利用帶隙工程提升器件光電性能，固溶體技術(shù)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及極化誘導的能帶剪裁，支撐了高效率RGB發(fā)光二極管，高響應度雪崩倍增探測器件的發(fā)展。利用態(tài)密度工程改善光發(fā)射性能，從三維、二維到一維乃至零維的態(tài)密度工程，實現(xiàn)載流子的多種光電性質(zhì)調(diào)控，包括偏振、載流子輸運，調(diào)制帶寬，發(fā)散角，自旋和Droop效應等?；谠ぐl(fā)工程的新型發(fā)光器件，基于量子限制結(jié)構(gòu)和金屬等高激元的元激發(fā)調(diào)控形成了多粒子耦合的準粒子，提升了寬帶隙材料的自發(fā)輻射率，實現(xiàn)了低閾值激光和偏振調(diào)控。

 

 

三安光電股份有限公司林科闖總經(jīng)理分享大會報告

 

氮化鎵基激光器將半導體激光器的波長拓展到藍、綠光波段，帶動大色域激光顯示、高亮度激光照明等領域的技術(shù)革新，并正興起為激光加工銅、金等金屬的最好光源。在投影顯示,激光加工,激光照明,存儲等領域具有重要的應用前景與廣泛的市場需求。三安光電股份有限公司林科闖總經(jīng)理在報告中，結(jié)合相關(guān)研究分享了大功率GaN藍綠激光器芯片設計、生長和制作以及三安光電最新的研發(fā)成果以及發(fā)展路線圖，涉及大功率GaN藍光激光器特征，GaN綠激光器界面改進等。

 

中國科學院半導體研究所李晉閩研究員分享大會報告

 

隨著紫外光固化技術(shù)日臻成熟，其在固化領域的應用份額在逐年上升。新冠疫情加速了紫外殺菌消毒市場培育，對深紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到了極大的推動作用，吸引更多的企業(yè)投資深紫外LED產(chǎn)業(yè)。在生物醫(yī)療、防偽鑒定、凈化領域、計算機數(shù)據(jù)存儲和軍事領域，紫外LED技術(shù)不斷取得突破，新的應用替代也在不斷發(fā)生。尚處于技術(shù)發(fā)展期的紫外LED技術(shù)已呈現(xiàn)出廣闊的市場應用前景，有望繼通用照明之后，成為半導體光電領域又一具有巨大市場前景的新興產(chǎn)業(yè)。李晉閩研究員在報告中全面分享了紫外LED技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢，紫外LED應用示范與產(chǎn)業(yè)機遇。他表示，氮化物深紫外LED作為下一代紫外光源，具有廣闊的應用前景，紫外LED應用市場正面臨快速增長的良好機遇，及早部署，把握先機，方可有望成為未來的市場領導者。深紫外LED產(chǎn)業(yè)面臨著從裝備、外延、芯片到封裝中的一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，其中尤其以裝備和外延最為核心，開發(fā)出高性能的深紫外MOCVD裝備是突破 深紫外LED產(chǎn)業(yè)瓶頸的關(guān)鍵。

 

 

廈門大學講座教授邱宇峰分享大會報告

 

大功率電力電子器件是推動電網(wǎng)向柔性半導體化方向發(fā)展的電力電子裝備的核心，碳化硅電力電子器件已經(jīng)成為國內(nèi)外研究和產(chǎn)業(yè)化熱點，電力電子裝備技術(shù)隨功率半導體器件的發(fā)展而逐代演進。功率半導體器件的發(fā)展是推動力電網(wǎng)電力電子裝備演進關(guān)鍵因素。碳化硅器件具有高結(jié)溫、高電壓、高頻的特點，非常適合電網(wǎng)應用，其廣泛應用將推動電網(wǎng)的電力電子化進程。高壓大功率碳化硅器件研制仍需突破電流密度、大尺寸襯底外延、低寄生參數(shù)封裝，成品率等問題。邱宇峰教授在報告中分享了能源轉(zhuǎn)型背景下電網(wǎng)形態(tài)的演進，硅基器件制約電網(wǎng)柔性半導體化進程，高壓SiC  IGBT面臨的襯底質(zhì)量、外延生長、芯片設計、芯片工藝以及芯片解決方案、器件解決方案，封裝解決方案等。他表示，新能源為主題的新型電力系統(tǒng)，要求電力電子裝備在電力系統(tǒng)各個層面起到?jīng)Q定性支撐作用。硅器件性能參數(shù)已經(jīng)接近極限，碳化硅器件的應用將大大推動電網(wǎng)柔性化、電力電子化進程。

 

 

KK創(chuàng)新實驗室Yogi Ota教授遠程云視頻報告

 

因為疫情阻隔，KK創(chuàng)新實驗室Yogi Ota教授通過遠程云視頻報告，分享了寬帶隙半導體、研發(fā)歷史和實踐等內(nèi)容，從不同角度分享了最新進展，包括射頻功率的材料比較、電力應用熱模擬等。

 

在9日下午召開的閉幕大會上，來自香港科技大學劉紀美教授、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員、英國謝菲爾德大學王濤教授、北京大學理學部副主任沈波教授、臺灣交通大學郭浩中教授、山東大學徐現(xiàn)剛教授等嘉賓帶來了精彩報告。

 

 

香港科技大學劉紀美教授云視頻報告

 

香港科技大學劉紀美教授遠程視頻的方式帶來了題為“高性能GaN垂直溝槽柵極MOSFET”的主題報告，具體分享了GaN功率晶體管：橫向和縱向設計;GaN垂直溝槽MOSFET的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)；不同清洗處理器的設備結(jié)果；具有厚底電介質(zhì)的器件設計；厚底電介質(zhì)工藝等內(nèi)容。

 

 

中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員

 

中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員詳細分享了氮化鎵單晶材料的HVPE法與液相法生長研究的最新成果。涉及GaN在尺寸Si襯底上的MOCVD外延生長、GaN在藍寶石襯底上的MBE外延生長，HVPE方法和生長裝備，HVPE生長GaN單晶襯底的現(xiàn)狀，從界面到表面的應力調(diào)控和應力分布，HVPE方法生長GaN的厚度和位錯密度的關(guān)系，生長界面調(diào)控和應力調(diào)控，降低位錯密度，氨熱法生長GaN的原理和裝備等。報告同時指出，GaN單晶材料生長的關(guān)鍵難題是面臨各類器件的特殊需求的挑戰(zhàn)，比如更大的晶面尺寸，更高的晶體質(zhì)量，更優(yōu)異的光學質(zhì)量，更優(yōu)異的電學性能，合適的鏡面取向，更低的成本等。

 

 

英國謝菲爾德大學王濤教授云視頻報告

 

英國謝菲爾德大學王濤教授通過遠程云視頻的方式，分享了關(guān)于用于微型顯示器和VLC的μLED和HEMT的，一種實現(xiàn)單片片上集成的直接外延方法。涉及到μLED顯示屏的當前狀態(tài)、內(nèi)量子效率、外延生長，在單芯片上實現(xiàn)單片集成μLED/HEMT微顯示的外延等。報告指出，研究開發(fā)出了一種新的選擇性外延方法，在不涉及任何干蝕刻的情況下實現(xiàn)微型 LED；新的選擇性外延方法，以集成具有最高EQE和最窄光譜線寬的μLED/晶格匹配DBR等。

 

北京大學理學部副主任沈波教授分享大會報告

 

AIN是具有戰(zhàn)略意義的超寬禁帶半導體，禁帶寬度6-2eV,高擊穿場強11.7MV/cm,高熱導率3.41W/cm.K，具有二階和三階光學非線性。與GaN晶格失配率2.4%，熱膨脹系數(shù)非常接近，在深紫外光電器件，高功率密度電子器件、濾波器、非線性光學器件等領域，具有不可替代的重要應用。北京大學沈波教授做了題為“高質(zhì)量AIN單晶襯底和外延薄膜的制備”的主題報告，具體分享了AIN單晶襯底的PVT生長，藍寶石上AIN薄膜的MOCVD外延生長，Si襯底上AIN薄膜的MOCVD外延生長等最新研究進展。

 

報告指出，AIN單晶襯底和高質(zhì)量AIN外延薄膜是寬禁帶半導體器件發(fā)展的關(guān)鍵基礎材料，是國家的戰(zhàn)略需求，也是國際上尚未攻破的難題之一。研究創(chuàng)新發(fā)展了“蔓延式PVT生長”方法，研制了PVT專用裝備，初步解決了一系列技術(shù)難題，成功研制出2英寸AIN晶體和襯底晶片。創(chuàng)新發(fā)展了“小合攏區(qū)NPSS側(cè)向外延”方法，藍寶石襯底上AIN外延層XRD搖擺曲線半高寬132（002）/140（102）arcsec;AIGaN基MQW發(fā)光波長276nm時IQE達83.1%，p-AIGaN基MQW發(fā)光波長276nm時IQE達83.1%。研究也創(chuàng)新發(fā)展了“納米圖形化符合AIN/Si襯底”技術(shù)，Si襯底上AIN外延薄膜XRD搖擺曲線半高寬409（002）/677（102）arcsec 。

 

 

臺灣交通大學郭浩中教授云視頻報告

 

臺灣交通大學郭浩中教授通過云視頻報告，介紹了用于全彩顯示和VLC的新型 microLED的最新技術(shù)成果以及相關(guān)應用的研究進展，包括下一代顯示技術(shù)，MicroLED的全彩挑戰(zhàn)、嵌入量子點的高均勻性和高效率納米多孔GaN用于顏色轉(zhuǎn)換MicroLED顯示器，具有VLC應用潛力的高穩(wěn)定性全彩顯示設備，高速綠色半極性等。

 

 

山東大學副教授彭燕云視頻報告

 

“芯片之爭就是材料之爭，沒有材料核心技術(shù)，就相當于在別人的地基上蓋房子，再大也不堪一擊”，一代材料，一代芯片，半導體材料具有核心地位，當前從研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)，進入產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展期，“十四五”開局之年，國家啟動了多項第三代半導體項目，涉及新型顯示和戰(zhàn)略電子材料、高性能制造技術(shù)與重大裝備等，政策支持力度更大，資產(chǎn)市場活躍。也面臨著應用市場需求增長等機遇。

 

山東大學徐現(xiàn)剛教授（彭燕老師代講）通過云視頻方式帶來了題為“碳化硅單晶襯底的研究進展”的主題報告，分享了SiC材料研究進展及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀等內(nèi)容，包括SiC功率器件，SiC基射頻器件，SiC生長系統(tǒng)，SiC中位錯缺陷等。其中，報告指出，國內(nèi)SiC商業(yè)化襯底以4英寸為主，逐步向6英寸過渡。微管密度小于1個/cm2 ，實現(xiàn)95%的襯底可用面積，存在單晶性能一致性差，成品率低下，成本高等問題，國產(chǎn)高性能襯底自給率仍然較低，占全球的市場份額不到5%。

 

大會現(xiàn)場

 

據(jù)介紹，本屆會議為期兩天，包含開閉幕兩場大會，同期設置了“材料生長與表征”、“光電子器件及應用”、“電力電子器件及應用”、“新型寬禁帶半導體材料及應用”和青年論壇五場同期分會，并有POSTER交流和企業(yè)展覽展示。大會共收錄論文摘要355篇，其中大會報告12個，邀請報告58個，口頭報告71個，海報展示186個。根據(jù)注冊統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示參會代表超過600人，因疫情原因?qū)嶋H參會代表超過500人，贊助單位31家，29家企業(yè)參與展示，參與單位超過150家，線上開閉幕式報告直播觀看人次超過13000+。

 

在疫情常態(tài)化防控背景下，本次全國寬禁帶半導體學術(shù)會議的成功召開，無疑是對我國寬禁帶半導學術(shù)研究與第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有里程碑意義。在為期兩天的會期時間里，密集的高水平報告，前沿研究內(nèi)容分享交相輝映，讓與會的嘉賓和青年科研代表享受到寬禁帶技術(shù)“科研盛宴”。