本屆會議由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)聯(lián)合主辦，廈門大學(xué)、南京大學(xué)承辦。會議為期兩天，包含開閉幕兩場大會，同期設(shè)置了“材料生長與表征”、“光電子器件及應(yīng)用”、“電力電子器件及應(yīng)用”、“新型寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用”和青年論壇五場同期分會，并有POSTER交流和企業(yè)展覽展示。共收錄論文摘要355篇，其中大會報(bào)告12個(gè)，邀請報(bào)告58個(gè)，口頭報(bào)告71個(gè)，海報(bào)展示186個(gè)。根據(jù)注冊統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，參會代表超過600人，因疫情原因?qū)嶋H參會代表超過500人；參與單位超過150家；線上開閉幕式報(bào)告直播觀看人次超過13000+。密集高水平學(xué)術(shù)報(bào)告，前沿研究內(nèi)容分享交相輝映，讓與會的嘉賓和青年科研代表享受到寬禁帶技術(shù)“科研盛宴”。

 

圍繞國內(nèi)外寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢與最新動態(tài)，院士專家們分別介紹了寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域包括氮化物、碳化硅等核心襯底材料、外延技術(shù)、器件制備以及應(yīng)用。關(guān)鍵性突破體現(xiàn)在以下方面：一是以國家電網(wǎng)為代表的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在碳化硅高壓的材料和器件方面，已經(jīng)可以做出18千伏的IGBT。二是碳化硅和氮化鎵器件市場正在興起并全面進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化。三是碳化硅、氮化鎵和氮化鋁的關(guān)鍵襯底材料取得全面突破。在大功率激光器、高壓大電流電子器件等卡脖子技術(shù)方面也取得突破性進(jìn)展。

 

兩天的會議充分交流和展示了我國寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，在學(xué)術(shù)研究上取得了長足的進(jìn)步，與國外的差距明顯縮小，體現(xiàn)出良好的追趕勢頭。廈門大學(xué)張榮校長做的《基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用》報(bào)告，充分體現(xiàn)出基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究的有機(jī)結(jié)合，引起很大反響。在Micro-LED 領(lǐng)域，氮化物紅光、大尺寸硅基、巨量轉(zhuǎn)移、背板驅(qū)動等關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)與國際水平相當(dāng)，并開始在外延芯片環(huán)節(jié)建立優(yōu)勢；硅基GaN功率與射頻電子器件，已經(jīng)與國際水平接近，并開始建立產(chǎn)能與市場應(yīng)用推廣優(yōu)勢；因?qū)W術(shù)創(chuàng)新而發(fā)展起來的GaN襯底的產(chǎn)業(yè)化開始進(jìn)入成熟階段，技術(shù)已經(jīng)接近國際領(lǐng)先水平，開始擴(kuò)大市場份額。6英寸SiC襯底開始進(jìn)入量產(chǎn)階段，8英寸研發(fā)已經(jīng)成功。SiC外延和芯片的產(chǎn)能進(jìn)入供不應(yīng)求階段，為加速提升產(chǎn)品競爭力提供了有利條件。

 

 

本次會議吸引了南京大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、北京大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、吉林大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、香港科技大學(xué)、英國謝菲爾德大學(xué)、臺灣交通大學(xué)等國內(nèi)高?？蒲性核约爸形雽?dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、江蘇南大光電材料股份有限公司等近150家單位參與。雖遇國內(nèi)多省多城市疫情因素影響，現(xiàn)場參會代表仍超500人次，超過預(yù)期，有160余人因疫情影響選擇通過線上進(jìn)行報(bào)告分享。大會開幕式和閉幕式的直播線上觀看人數(shù)達(dá)13000余次。

 

會議同時(shí)受到了2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)天野浩教授的高度關(guān)注，特意通過視頻方式為本屆會議致辭。

 

本屆會議正式錄用論文摘要數(shù)量達(dá)355篇，創(chuàng)造了我國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議投稿量首次突破300篇的新紀(jì)錄，投稿量達(dá)歷屆之最。投稿主題涵蓋材料生長與表征、光電子器件及應(yīng)用、功率電子與射頻電子器件、新型寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用方向。

 

 

兩年以來，產(chǎn)業(yè)界從事研發(fā)的團(tuán)隊(duì)增長非常迅速，特別在碳化硅領(lǐng)域，不斷涌現(xiàn)創(chuàng)新的高技術(shù)團(tuán)隊(duì)和企業(yè)。本屆會議創(chuàng)新設(shè)置了青年論壇專場，邀請國內(nèi)科研一線的優(yōu)秀青年學(xué)者充分展示科研進(jìn)展，他們中年齡最大不超過38歲，已經(jīng)成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者和技術(shù)骨干，針對“十四五”規(guī)劃下寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)、變革性技術(shù)中寬禁帶半導(dǎo)體材料的使命等話題開展討論，通過智慧的交流與碰撞，共同為我國寬禁帶半導(dǎo)體深度發(fā)展建言獻(xiàn)策。

 

三、發(fā)展趨勢

 

1. 未來幾年，碳化硅和氮化鎵功率器件在新能源汽車和快充消費(fèi)類電子市場將迎來高速增長。

 

2. Micro-LED和Mini-LED在顯示領(lǐng)域引起高度重視和關(guān)注，會有很大發(fā)展。

 

3. 第三代半導(dǎo)體器件正在逐步從分立走向集成，集成模塊和集成電路將成為發(fā)展趨勢。

 

4. 超寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，尤其是氧化鎵功率電子器件，很有可能逐步走向應(yīng)用。

 

 

1. 第三代半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)、技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步廣泛受益于LED行業(yè)近20年的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)發(fā)展，LED主要是在第三代半導(dǎo)體氮化鎵體系內(nèi)，此次會議95%的報(bào)告圍繞氮化物材料展開。國內(nèi)碳化硅材料的研發(fā)團(tuán)隊(duì)較少，功率器件團(tuán)隊(duì)主要集中在Si基集成電路領(lǐng)域，大部分專家尚未進(jìn)入寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)圈，此次會議碳化硅報(bào)告的數(shù)量偏少。與之相比，每年一屆的國際第三代半導(dǎo)體論壇暨中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSL CHINA）更加全面，今年的大會在組織委員會中進(jìn)一步增加了碳化硅領(lǐng)域的專家。

 

2. 雖然國內(nèi)在寬禁帶半導(dǎo)體襯底、外延、工藝制造等方面都取得了突破性進(jìn)展，但此次會議中高端原材料的報(bào)告數(shù)量偏少；配套材料尤其是封裝材料的報(bào)告尚顯不足；受限于超寬禁帶材料發(fā)展速度緩慢，該領(lǐng)域報(bào)告也寥寥無幾。

 

3. 關(guān)鍵裝備國產(chǎn)化率較低。學(xué)界廣泛呼吁碳化硅HTCVD設(shè)備沒有國產(chǎn)；作為有希望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的Ga2O3材料，目前市場上沒有可用于量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備，對MBE設(shè)備國產(chǎn)化呼聲也相當(dāng)高。此外，以高校和研究所為代表的學(xué)術(shù)界對設(shè)備的購買和運(yùn)行成本比較敏感，希望實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用。發(fā)展低成本、多用途的設(shè)備將有利于更多人參與到學(xué)術(shù)研究中。

 

4. 第三代半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要充分學(xué)習(xí)和借鑒半導(dǎo)體照明成功的經(jīng)驗(yàn)。半導(dǎo)體照明已經(jīng)進(jìn)入新的發(fā)展階段，在數(shù)字化、智能化、光電子和微電子融合、跨界應(yīng)用飛速發(fā)展的階段，要繼續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體照明的創(chuàng)新技術(shù)和超越照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的相關(guān)問題，如光生物、光農(nóng)業(yè)、光健康、可見光通信、量子計(jì)算、元宇宙等領(lǐng)域。

 

5. 盡管國際形勢不容樂觀，但國際間學(xué)術(shù)交流和共享的重要性與必要性仍需多加重視，要加強(qiáng)精準(zhǔn)深入的國際合作。