期間，IFWS 2021：射頻電子器件與應(yīng)用論壇將于12月6日舉行，論壇特別邀請(qǐng)韓國Wavice Inc首席技術(shù)官兼器件部門總監(jiān)Sangmin LEE，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻，西安電子科技大學(xué)特聘教授劉志宏，中興通訊股份有限公司無線技術(shù)總工劉建利，羅德與施瓦茨市場發(fā)展經(jīng)理郭進(jìn)龍，日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平，中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所首席科學(xué)家馮志紅，南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)Alsaman A. amgad，ZTE中興可靠性工程師李強(qiáng)，中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心副研究員曾建平等代表性先進(jìn)研究力量，分享射頻電子器件與應(yīng)用的最新研究進(jìn)展與研究成果。會(huì)議將由中國電子科技集團(tuán)第五十八所所長、研究員蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇聯(lián)袂主持。
第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。本論壇的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及其在移動(dòng)通信（包括宏站、微站、毫米波等）中的應(yīng)用等各方面。目前論壇最新日程出爐，也誠摯的邀請(qǐng)業(yè)界同仁的深度參與。
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì)，論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì)，為除了開幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會(huì)等超30場次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國內(nèi)外前沿進(jìn)展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
部分嘉賓簡介
蔡樹軍，現(xiàn)任中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長，研究員級(jí)高工。兼北京理工大學(xué)教授，華中科技大學(xué)教授，電子科技大學(xué)教授和香港科技大學(xué)助理教授，博士生導(dǎo)師；主要研究領(lǐng)域?yàn)楣?，砷化鎵和氮化鎵等新型材料器件和電路。在國?nèi)外刊物發(fā)表專業(yè)文章近百篇。
張乃千，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長，于2007年回國創(chuàng)辦了能訊半導(dǎo)體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導(dǎo)體氮化鎵電子器件設(shè)計(jì)與制造商業(yè)企業(yè)，自主進(jìn)行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。
張韻，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員。具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗(yàn)。2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局（DARPA）在深紫外光電探測器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時(shí)，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗(yàn)和世界領(lǐng)先的成果。迄今為止已在國際高水平學(xué)術(shù)期刊發(fā)表GaN方面文章20余篇，及40余篇國際會(huì)議文章和1項(xiàng)美國專利申請(qǐng)。相關(guān)研究成果先后4次被半導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)雜志Semiconductor Today作為熱點(diǎn)報(bào)道并獲得廣泛關(guān)注。
于洪宇，任南方科技大學(xué)教授，目前擔(dān)任深港微電子學(xué)院（國家示范性微電子學(xué)院）院長。在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲(chǔ)器、GaN器件與系統(tǒng)集成（GaN HEMT）以及電子陶瓷方面發(fā)表學(xué)術(shù)論文近400篇，其中近180篇被SCI收錄，總他引次數(shù)近5000次，H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業(yè)書籍的章節(jié)。發(fā)表/被授予近20 項(xiàng)美國/歐洲專利以及30項(xiàng)以上國內(nèi)專利。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，承擔(dān)超過7000萬人民幣國家/省/市/以及橫向科研項(xiàng)目（包括新加坡主持項(xiàng)目）。產(chǎn)學(xué)研方面，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域承擔(dān)了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產(chǎn)，目前承擔(dān)一項(xiàng)6寸硅基GaN功率器件產(chǎn)業(yè)化的廣東省重大專項(xiàng)。在電子陶瓷領(lǐng)域創(chuàng)辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬用于量產(chǎn)介質(zhì)濾波器。
Sangmin LEE，Wavice Inc 首席技術(shù)官兼設(shè)備部門負(fù)責(zé)人
Sangmin Lee，現(xiàn)任Wavice Inc 首席技術(shù)官兼設(shè)備部門負(fù)責(zé)人，韓國西江大學(xué)理學(xué)學(xué)士，韓國西江大學(xué)理學(xué)碩士，韓國西江大學(xué)固體物理學(xué)博士；1996 ~ 1998 - ETRI 博士后 ，2000 ~ 2001 - 加州大學(xué)圣巴巴拉分校博士后 ，2001 ~ 2005 - GCS 高級(jí)工藝工程師，2005 ~ 2010 - RFMD 技術(shù)資格經(jīng)理，2010 ~ 2015 - Cree 研究科學(xué)家 ，2015~至今- Wavice首席技術(shù)官。主要研究領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體器件，包括 GaN、SiC、Ga2O3 · 毫米波器件（InP DHBT、GaN HEMT 等） · 高功率器件的可靠性和故障機(jī)制。
劉建利，中興通訊股份有限公司射頻功放平臺(tái)總工，1998年至2007年任中興通訊股份有限公司，RF研發(fā)工程師兼GSM, CDMA, UMTS等射頻功放研發(fā)團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目經(jīng)理。自2008年起，任中興通訊股份有限公司射頻功放平臺(tái)總工。
敖金平，日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)教授，2003年11月起加入德島大學(xué)并于2012年升任準(zhǔn)教授。2016年起任西安電子科技大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國際學(xué)術(shù)期刊和國際會(huì)議上發(fā)表論文200余篇，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利。敖博士是國際電氣電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)高級(jí)會(huì)員，美國電氣化學(xué)協(xié)會(huì)(ESC)會(huì)員，日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員以及日本電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)會(huì)員。
馮志紅，中國電科首席科學(xué)家，研究員，國際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)（lEC）專家，中國電科十三所科技委副主任，專用集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室常務(wù)副主任。研究方向涉及寬禁帶半導(dǎo)體、碳電子和固態(tài)太赫茲電子技術(shù)。發(fā)表SCI文章200余篇，授權(quán)國家發(fā)明專利80余件，專著3冊(cè)。獲國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等1項(xiàng)，中國電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等1項(xiàng)，國防科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等2項(xiàng)。
附件：論壇資料
劉志宏，西安電子科技大學(xué)教授、博導(dǎo)。2007年加入新加坡南洋理工大學(xué)淡馬錫實(shí)驗(yàn)室，任職Research Associate，負(fù)責(zé)氮化鎵微波器件和MMIC制造技術(shù)的研發(fā)；2011年加入新加坡-麻省理工學(xué)院聯(lián)合科技中心（SMART），任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，負(fù)責(zé)硅基氮化鎵微波/毫米波/太赫茲器件、氮化鎵與硅CMOS異質(zhì)集成技術(shù)、氮化鎵電力電子器件等的研發(fā)。2019年全職回國加入西安電子科技大學(xué)，任職教授、博導(dǎo)。為IEEE高級(jí)會(huì)員。目前研究方向?yàn)镚aN等寬禁帶半導(dǎo)體器件物理、制造技術(shù)、表征建模與集成電路。
最新日程如下：
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會(huì)，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過去的六年時(shí)間里，IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個(gè)專業(yè)報(bào)告，累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國家逾26500人次。
國際第三代半導(dǎo)體論壇與中國國際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦，同臺(tái)匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會(huì)議最新信息：
論壇信息
會(huì)議時(shí)間：2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心（福田區(qū)）
會(huì)議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報(bào)告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
備注：
＊國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊SSL相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會(huì)、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
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