期間，“IFWS& SSLCHINA 2021：固態(tài)紫外器件應(yīng)用分論壇“將于12月6日舉行，論壇由艾邁斯歐司朗、中科潞安紫外光電科技有限公司、山西中科潞安半導(dǎo)體技術(shù)研究院有限公司、廣州市鴻利秉一光電科技有限公司協(xié)辦。特別邀請(qǐng)東京大學(xué)教授、國(guó)際紫外協(xié)會(huì)亞洲分會(huì)主席小熊久美子，安吉爾集團(tuán)中央研究院副院長(zhǎng)張建芳，廣州市鴻利秉一光電科技有限公司總經(jīng)理吳乾，山西中科潞安紫外光電科技有限公司總經(jīng)理、中科院半導(dǎo)體研究所研究員閆建昌， 艾邁斯歐司朗市場(chǎng)經(jīng)理范鎵，美國(guó)普渡大學(xué)Lee A. Rieth講席教授，國(guó)際紫外協(xié)會(huì)北美分會(huì)主席Ernest R. Blatchley III，中國(guó)家用電器研究院環(huán)境與健康相關(guān)產(chǎn)品檢測(cè)所主任姚艷春， 深圳市易光科技有限公司總經(jīng)理吳光敏，中國(guó)科學(xué)院生態(tài)環(huán)境研究中心副研究員李夢(mèng)凱，南京大學(xué)教授，鎵敏光電董事長(zhǎng)陸海，香港科技大學(xué)教授李世瑋，艾歐史密斯（中國(guó)）熱水器有限公司技術(shù)總監(jiān)陳小波等代表性先進(jìn)研究力量，分享固態(tài)紫外器件應(yīng)用的最新進(jìn)展。南京大學(xué)教授, 鎵敏光電董事長(zhǎng)陸海與中科潞安紫外光電科技有限公司總經(jīng)理、中科院半導(dǎo)體研究所研究員閆建昌將共同主持本次論壇。
材料與器件技術(shù)的快速進(jìn)展，為紫外LED對(duì)傳統(tǒng)汞燈的漸進(jìn)應(yīng)用替代提供了可能性?；赨VA波段的紫外LED固化已成功應(yīng)用于膠印、絲印油墨印刷，玻璃塑料粘接、壓敏膠帶生產(chǎn)、噴墨印刷、UV LED甲油膠等領(lǐng)域。隨著技術(shù)的進(jìn)步，將有望帶來(lái)更多的創(chuàng)新應(yīng)用，未來(lái)可期。
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì)，論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì)，為除了開幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)等超30場(chǎng)次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
部分嘉賓簡(jiǎn)介
陸海，南京大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授，萬(wàn)人計(jì)劃專家，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究，取得了多項(xiàng)有國(guó)際影響力的成果：制備了世界上電學(xué)特性最好的InN單晶薄膜（保持6年世界紀(jì)錄），首先生長(zhǎng)出p型、a面及立方相等新型InN材料，為三十余家國(guó)際權(quán)威研究機(jī)構(gòu)提供了標(biāo)準(zhǔn)InN及富In氮化物樣品；聯(lián)合改寫和修正了多項(xiàng)III族氮化物半導(dǎo)體材料體系的基本參數(shù)，包括InN 0.7eV窄禁帶寬度的重大發(fā)現(xiàn)，藉此將Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域推廣到近紅外光學(xué)波段，大大拓寬了Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的研究與應(yīng)用范疇；首先發(fā)現(xiàn)InN表面強(qiáng)電荷聚集效應(yīng)，藉此研制出InN表面化學(xué)傳感器、InN THz發(fā)射源，獲《Nature》雜志專文報(bào)道；聯(lián)合提出InGaN全光譜多異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的概念和結(jié)構(gòu)。
近年來(lái)重點(diǎn)開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測(cè)器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究，致力于將半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究成果推廣到器件應(yīng)用領(lǐng)域：通過(guò)發(fā)展GaN同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)，大幅度提高了GaN半導(dǎo)體的晶體質(zhì)量，藉此研制出高擊穿電壓GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光電探測(cè)器，多次獲得國(guó)際主流半導(dǎo)體技術(shù)媒體跟蹤報(bào)道；兩次刷新GaN基霍爾傳感器最高穩(wěn)定工作溫度的世界紀(jì)錄；研制出現(xiàn)有暗電流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探測(cè)器，并帶領(lǐng)南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)了高靈敏度GaN基紫外探測(cè)器的產(chǎn)業(yè)化；在國(guó)內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)SiC紫外單光子探測(cè)器；研究和澄清了GaN基功率器件和發(fā)光二極管的幾個(gè)基礎(chǔ)器件物理問題，發(fā)展了多種新型的器件測(cè)試表征方法。
迄今已發(fā)表學(xué)術(shù)論文三百余篇，其中包括SCI論文230余篇；所發(fā)表文章獲SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被國(guó)外同行在綜述文章上稱為“Major breakthrough (重大突破)”；已獲得13項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利和1項(xiàng)美國(guó)發(fā)明專利授權(quán)。
閆建昌博士是中國(guó)科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)會(huì)員，北京市科技新星計(jì)劃入選者。長(zhǎng)期從事氮化物半導(dǎo)體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導(dǎo)體紫外發(fā)光二極管（UVLED）領(lǐng)域十余年，負(fù)責(zé)國(guó)家863計(jì)劃、自然科學(xué)基金、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等多項(xiàng)國(guó)家級(jí)科研項(xiàng)目，取得了具有國(guó)際影響力的研究成果。與美國(guó)、日本、歐洲等多國(guó)的領(lǐng)域著名研究機(jī)構(gòu)開展了學(xué)術(shù)交流合作，并與產(chǎn)業(yè)界建立了良好的互動(dòng)合作關(guān)系。
主持承擔(dān)國(guó)家863課題“深紫外LED外延生長(zhǎng)及應(yīng)用技術(shù)研究”，國(guó)際上首次在納米圖形藍(lán)寶石襯底(NPSS)上MOCVD外延出高質(zhì)量AlN材料，材料質(zhì)量為國(guó)際最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相關(guān)研究獲得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半導(dǎo)體界知名網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)。主持自然科學(xué)基金項(xiàng)目“AlGaN基紫外激光二極管研究”，成功實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的室溫受激發(fā)射。發(fā)表學(xué)術(shù)論文五十余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利三十多項(xiàng)。獲中科院成果鑒定兩項(xiàng)，2012年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、2015年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，2018年度北京市科技新星計(jì)劃入選者。
李世瑋，目前是機(jī)械及航空航天工程系講席教授，另外也同時(shí)兼任香港科技大學(xué)廣州校區(qū)系統(tǒng)樞紐署理院長(zhǎng)、香港科技大學(xué)佛山智能制造研究院院長(zhǎng)、及佛山市香港科技大學(xué)LED-FPD工程技術(shù)研究開發(fā)中心主任等行政職務(wù)。研究領(lǐng)域覆蓋晶圓級(jí)和三維微系統(tǒng)封裝、LED封裝和半導(dǎo)體照明技術(shù)、增材制造與3D打印、以及無(wú)鉛焊接工藝及焊點(diǎn)可靠性。他的團(tuán)隊(duì)在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊及會(huì)議論文集上發(fā)表了300多篇技術(shù)論文，其中12篇獲得最佳或優(yōu)秀論文獎(jiǎng)，曾榮獲IEEE、ASME、IMAPS等三個(gè)國(guó)際學(xué)會(huì)所頒發(fā)的6項(xiàng)專業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)。他曾與其他專家學(xué)者合作撰寫了3本微電子封裝與組裝方面的專書，其中兩本已分別被清華大學(xué)出版社及化學(xué)工業(yè)出版社翻譯成中文，目前在國(guó)內(nèi)發(fā)行。他在相關(guān)專業(yè)的國(guó)際學(xué)術(shù)組織非?；钴S，曾擔(dān)任《IEEE元器件封裝技術(shù)期刊》的總主編、IEEE CPMT學(xué)會(huì)的國(guó)際主席、以及ASME EPPD學(xué)會(huì)的國(guó)際主席，目前正擔(dān)任《ASME電子封裝期刊》的總主編。由于在國(guó)際間的成就及聲望，他于1999、2003、2008和2013年分別被英國(guó)物理學(xué)會(huì)(IoP)、美國(guó)機(jī)械工程師學(xué)會(huì)(ASME)、電氣電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE) 、國(guó)際微電子組裝和封裝學(xué)會(huì)(IMAPS)評(píng)選為學(xué)會(huì)會(huì)士(Fellow)。
最新日程如下：
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
張建芳,安吉爾集團(tuán)中央研究院副院長(zhǎng)，碩士研究生，膜分離專業(yè)，從事凈飲水技術(shù)開發(fā)和研發(fā)工作十五年，擅長(zhǎng)凈飲水應(yīng)用技術(shù)以及技術(shù)模塊的研究和開發(fā)，曾連續(xù)五年主導(dǎo)開發(fā)安吉爾戰(zhàn)略產(chǎn)品A系列凈水機(jī)的開發(fā)工作。共申請(qǐng)專利 120份（其中發(fā)明20份、實(shí)用100份）。現(xiàn)分管安吉爾集團(tuán)中央研究院應(yīng)用技術(shù)開發(fā),組織開發(fā)安吉爾核心模塊、新技術(shù)產(chǎn)品、新品類產(chǎn)品，同時(shí)為安吉爾先行技術(shù)研究院的研究成果提供落地和價(jià)值轉(zhuǎn)換。
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過(guò)去的六年時(shí)間里，IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng)，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過(guò)去的十七年里，SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容，呈現(xiàn)了超過(guò)1800個(gè)專業(yè)報(bào)告，累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦，同臺(tái)匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來(lái)。
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會(huì)議最新信息：
論壇信息
會(huì)議時(shí)間：2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心（福田區(qū)）
會(huì)議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)
主辦單位
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報(bào)告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
備注：
＊國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊SSL相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
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白女士
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13681329411
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