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IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)論壇最新日程出爐

日期:2021-11-27 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:356
核心提示:2021年12月6-8日,以創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWSSSLCHINA 202
氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)論壇
2021年12月6-8日,以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)聯(lián)合主辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
 
期間,“IFWS& SSLCHINA 2021:氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)“分論壇將于12月7日舉行,特別邀請(qǐng)日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所上級(jí)主任研究員沈旭強(qiáng),北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍,深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授武紅磊,河北半導(dǎo)體研究所高楠,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員劉志強(qiáng),奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司首席執(zhí)行官吳亮,中鎵半導(dǎo)體科技有限公司顧問劉強(qiáng),中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所納米研究所司志偉等代表性先進(jìn)研究力量,分享氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)的最新進(jìn)展。北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授沈波和中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員徐科將共同主持本次論壇。
 
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì),論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì),為除了開幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)等超30場(chǎng)次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展;第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇;第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合;產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中,對(duì)接資源,洽談商機(jī),共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
 
部分嘉賓簡(jiǎn)介
沈波
沈波,北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授,國(guó)家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人,國(guó)家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員、國(guó)家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長(zhǎng)、國(guó)家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員。
 
1995年迄今一直從事III族氮化物(又稱GaN基)寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究,在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長(zhǎng)、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國(guó)內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃和自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)國(guó)家級(jí)科研課題。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇,論文被引用4000多次,獲得/申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利50多件,先后獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和教育部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。部分研究成果實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
徐科
徐科,江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長(zhǎng)、研究員,國(guó)家杰出青年基金獲得者。一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、相關(guān)材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長(zhǎng),在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長(zhǎng)出非極性m面GaN;系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長(zhǎng)機(jī)理,氮化物的極性選擇、極性控制,闡明了極性對(duì)氮化銦(InN)生長(zhǎng)的特殊影響,是國(guó)際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一;近年來重點(diǎn)開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長(zhǎng)研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究,研發(fā)出可以連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)GaN單晶襯底的HVPE系統(tǒng),開發(fā)出高質(zhì)量完整2英寸單晶氮化鎵襯底,并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn);組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測(cè)試技術(shù)與裝備研制、微納尺度原位加工與測(cè)試技術(shù)的融合,并用于半導(dǎo)體中單個(gè)缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究。發(fā)表SCI論文70余篇,申請(qǐng)專利40余項(xiàng),國(guó)際專利一項(xiàng),國(guó)際會(huì)議特邀報(bào)告20余次。承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金、973重大研究計(jì)劃、863項(xiàng)目、科技部國(guó)際合作項(xiàng)目、中科院裝備研制項(xiàng)目、江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)、發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目等。
 
研究領(lǐng)域:(1)III族氮化物材料的生長(zhǎng)與材料物理,HVPE法、助熔劑法和氨熱法,極低缺陷密度材料的制備及物性研究;(2)寬禁帶半導(dǎo)體與超薄二維體系的異質(zhì)結(jié)構(gòu),表面、界面與限域體系中的物性研究;(3)納米測(cè)試分析理論與裝備技術(shù),空間高分辨的多參量綜合測(cè)試技術(shù)與裝備。
劉志強(qiáng)
劉志強(qiáng),中科院半導(dǎo)體所研究員,先后于吉林大學(xué)、南京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、美國(guó)北卡大學(xué)、挪威科技大學(xué)從事科研工作。中國(guó)仿真協(xié)會(huì)集成仿真專委會(huì)委員,十二五國(guó)家863“重大項(xiàng)目”項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,十三五國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃一期子課題負(fù)責(zé)人,十三五國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃二期課題負(fù)責(zé)人。獲2014年國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng),2012年北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng),中國(guó)科學(xué)院人才項(xiàng)目-青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)第三批會(huì)員,三項(xiàng)科研成果通過中國(guó)科學(xué)院成果鑒定。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體光電材料、器件,氮化物范德華外延,納米像元超高清顯示,智能健康光源等領(lǐng)域研究,在 Science Advances、Adv. Mater.、Small、JACS、JACS、APL等國(guó)內(nèi)外雜志發(fā)表論文150余篇。

最新日程如下:
F3-材料與裝備論壇-B-氮化物半導(dǎo)體襯底與外延日程
備注:日程或有微調(diào),皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

附件:論壇資料
第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
 
IFWS & SSLCHINA 2021
 
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì),是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過去的六年時(shí)間里,IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài),已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
 
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料,技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái),致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng),以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過去的十七年里,SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容,呈現(xiàn)了超過1800個(gè)專業(yè)報(bào)告,累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
 
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦,同臺(tái)匯力,相映生輝,放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來。
 
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。目前,論壇同期論文已開啟征集,論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。

2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS 2021)也同時(shí)招展中,歡迎業(yè)界人士的參與其中,對(duì)接資源,洽談商機(jī),共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
 
據(jù)了解,目前論壇組織工作正有序開展中,以下為會(huì)議最新信息:
 
論壇信息
會(huì)議時(shí)間:2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn):深圳會(huì)展中心(福田區(qū))
會(huì)議住宿:深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題:創(chuàng)芯生態(tài)  碳索未來
 
主辦單位
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
 
論文重要期限及提交方式
 口頭報(bào)告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2021年11月28日
備注:目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序,在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿,歡迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程
會(huì)議日程安排
備注:總體日程概覽或有微調(diào),以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
1124權(quán)益表

備注:

*國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

*學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

*會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

*若由于某些原因,您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì),可辦理退款事宜,組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。

*SSL相關(guān)會(huì)議包含:開幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。

*IFWS相關(guān)會(huì)議包含:開幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含:車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇,以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元(包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元)。

*餐飲包含:126日午餐、6日歡迎晚宴(大中華希爾頓酒店)、7日午餐+晚餐

報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票(詳見上圖),國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
 
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