2021年12月6-8日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，“IFWS 2021：功率電子器件與應(yīng)用論壇（氮化鎵功率器件專場(chǎng)）“將于12月7日上午舉行，特邀電子科技大學(xué)教授張波，西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授張進(jìn)成，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢主持。會(huì)上，特別邀請(qǐng)到加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授于洪宇，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所研究員孫錢，深圳大學(xué)微電子研究院院長(zhǎng)助理、材料學(xué)院研究員劉新科，北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師楊學(xué)林，華南理工大學(xué)李國(guó)強(qiáng)/李善杰，美國(guó)Analog 設(shè)備公司張薇葭，電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室李曦，西安電子科技大學(xué)王婷婷等代表性先進(jìn)研究力量，分享氮化鎵功率器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì)，論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì)，為除了開幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)等超30場(chǎng)次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
張進(jìn)成
西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
張進(jìn)成，博士，二級(jí)教授，博士生導(dǎo)師，教育部長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授，領(lǐng)軍人才，卓越青年基金獲得者，國(guó)務(wù)院政府特殊津貼專家，陜西省三秦學(xué)者特聘教授。現(xiàn)任西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國(guó)家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，曾擔(dān)任ICNS、DRIP、APWS等國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議電子器件分會(huì)主席，微電子學(xué)院副院長(zhǎng)，科學(xué)研究院院長(zhǎng)。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕c超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項(xiàng)，成果6次被國(guó)際著名雜志Semiconductor Today專題報(bào)道。獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)（排名第一和第二），省部級(jí)科技一等獎(jiǎng)4項(xiàng)以及國(guó)家教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。1998年起師從中國(guó)科學(xué)院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件研究，是我國(guó)乃至國(guó)際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。
吳偉東，加拿大多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)部教授，其研究領(lǐng)域涵蓋智能功率半導(dǎo)體器件及其制作工藝，尤其擅長(zhǎng)功率管理集成電路、集成電源開關(guān)和集成D類音頻功率放大器的開發(fā)。1990年獲得多倫多大學(xué)的博士學(xué)位后，吳教授加入德州儀器公司，開發(fā)適用于汽車應(yīng)用的功率晶體管。1992年吳教授加入香港大學(xué)開始學(xué)術(shù)研究生涯。1993年，吳教授加入多倫多大學(xué)，組建了智能功率集成電路和半導(dǎo)體器件研究團(tuán)隊(duì)，他于1998年和2008年分別晉升為副教授和正教授，他擁有智能功率集成電路和射頻領(lǐng)域CMOS技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)的豐富閱歷。吳教授是多倫多納米制造中心主任和多倫多大學(xué)開發(fā)獲取研究中心主任。吳教授自2009年起擔(dān)任IEEE電子器件快報(bào)的副主編。
張波，教授，博士生導(dǎo)師，電子科技大學(xué)集成電路研究中心主任。國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)第十二屆專家評(píng)審組專家；國(guó)家“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”科技重大專項(xiàng)總體組專家（2008-2013）；國(guó)家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項(xiàng)總體組特聘專家；國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地專家組專家；中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事；中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)理事；四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體集成技術(shù)專委會(huì)主任等。1985年本科畢業(yè)于北京工業(yè)學(xué)院（現(xiàn)北京理工大學(xué)）半導(dǎo)體專業(yè)，同年推薦免試進(jìn)入成都電訊工程學(xué)院（現(xiàn)電子科技大學(xué)）修讀半導(dǎo)體專業(yè)工學(xué)碩士學(xué)位。1988年4月研究生畢業(yè)后留校工作于微電子科學(xué)與工程系，1990年被評(píng)為助理研究員（講師），1994年7月破格晉升副教授。1996年5月，受國(guó)家教委委派，以高級(jí)訪問(wèn)學(xué)者身份赴美國(guó)Virginia理工大學(xué)進(jìn)修，1996年11月－1999年11月，在美國(guó)國(guó)家工程中心功率電子系統(tǒng)中心（CPES）繼續(xù)從事研究工作，參加了由美國(guó)科學(xué)基金、美國(guó)海軍部、Intel公司、HARRIS公司等資助的十余項(xiàng)科研項(xiàng)目研究。1999年11月回國(guó)工作，2000年7月被破格晉升教授，2002年被聘為博士生指導(dǎo)教師。2000年被評(píng)為四川省跨世紀(jì)青年學(xué)科帶頭人，2002年教育部“高校青年教師獎(jiǎng)”獲得者，2005年被評(píng)為成都市“十大杰出青年”，政府特殊津貼獲得者，成都市有突出貢獻(xiàn)優(yōu)秀專家，四川省有突出貢獻(xiàn)優(yōu)秀專家，四川省學(xué)術(shù)和技術(shù)帶頭人，2013年入選國(guó)家“有突出貢獻(xiàn)中青年專家”和“國(guó)家百千萬(wàn)人才工程”。從1980年代起即致力于新型功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)表SCI收錄論文200余篇、EI收錄論文300余篇，獲中美發(fā)明專利授權(quán)80余項(xiàng)，獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)等國(guó)家及部級(jí)科研獎(jiǎng)勵(lì)11項(xiàng)（其中牽頭獲得2010年國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)）。所領(lǐng)導(dǎo)的實(shí)驗(yàn)室在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已培養(yǎng)出博士50名、碩士600余名。在教學(xué)與學(xué)術(shù)研究的同時(shí)為境內(nèi)外企業(yè)成功開發(fā)了百余種（款）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新工藝和新產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)銷售數(shù)億只。
于洪宇，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授，于洪宇教授代表南科大與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同成功籌建深圳第三代半導(dǎo)體研究院，并擔(dān)任副院長(zhǎng)。與清華大學(xué)共同牽頭成功籌建廣東省未來(lái)網(wǎng)絡(luò)高端器件制造業(yè)創(chuàng)新中心，成功籌建南科大深港微電子學(xué)院（被教育部批準(zhǔn)為國(guó)家示范性微電子學(xué)院）以及未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心。牽頭組建深圳市第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、廣東省GaN器件工程技術(shù)中心，并成立團(tuán)隊(duì)。
于洪宇教授在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲(chǔ)器、GaN器件與系統(tǒng)集成（GaN HEMT） 、以及電子陶瓷方面發(fā)表學(xué)術(shù)論文近400篇，其中近180篇被SCI收錄，總他引次數(shù)近5000次，H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業(yè)書籍的章節(jié)。發(fā)表/被授予近20 項(xiàng)美國(guó)/歐洲專利以及30項(xiàng)以上國(guó)內(nèi)專利。產(chǎn)學(xué)研方面，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域承擔(dān)了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產(chǎn)，目前承擔(dān)一項(xiàng)6寸硅基GaN功率器件產(chǎn)業(yè)化的廣東省重大專項(xiàng)。在電子陶瓷領(lǐng)域創(chuàng)辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬(wàn)用于量產(chǎn)介質(zhì)濾波器。
孫錢，中國(guó)科技大學(xué)材料物理和計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)雙學(xué)士（郭沫若校長(zhǎng)獎(jiǎng)獲得者）、美國(guó)耶魯大學(xué)博士（耶魯工學(xué)院Becton獎(jiǎng)獲得者），國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)獲得者，國(guó)家優(yōu)秀青年基金獲得者，首批國(guó)家特聘青年專家，江蘇省“雙創(chuàng)人才”，中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀科技工作者?，F(xiàn)任中科院蘇州納米所研究員、博導(dǎo)、器件部副主任。長(zhǎng)期致力于硅基III族氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與光電子及功率電子器件制備研究。通過(guò)與企業(yè)的產(chǎn)學(xué)研實(shí)質(zhì)性合作，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片技術(shù)，并在全球率先產(chǎn)業(yè)化，年銷售逾4億元。2016年成功研制出國(guó)際上首支硅襯底GaN基激光器，入選中國(guó)光學(xué)重要成果和科技部高新技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新進(jìn)展報(bào)告。近5年來(lái)主持承擔(dān)了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、863計(jì)劃課題、中科院前沿科學(xué)重點(diǎn)研究項(xiàng)目、中科院科技服務(wù)網(wǎng)絡(luò)STS計(jì)劃區(qū)域重點(diǎn)項(xiàng)目、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等。迄今為止，在Nature Photonics、Light: Science & Applications等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表了100余篇學(xué)術(shù)論文，是30余項(xiàng)美國(guó)和中國(guó)發(fā)明專利的發(fā)明人。應(yīng)邀在國(guó)際氮化物半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議和產(chǎn)業(yè)論壇上作特邀報(bào)告40余次。現(xiàn)兼任中國(guó)物理學(xué)會(huì)發(fā)光分會(huì)第十四屆委員會(huì)委員、中國(guó)激光雜志社青年編輯委員會(huì)委員、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》第十二屆編輯委員會(huì)委員、《發(fā)光學(xué)報(bào)》第一屆青年編輯委員會(huì)委員、SEMI中國(guó)功率及化合物半導(dǎo)體委員會(huì)委員。
李國(guó)強(qiáng)，華南理工大學(xué)材料學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師，主要研究方向?yàn)楣怆姲雽?dǎo)體材料與器件。長(zhǎng)期從事光電化合物半導(dǎo)體材料（主要為III-V族及II-VI族化合物半導(dǎo)體）的制備、缺陷控制及相關(guān)器件（主要為L(zhǎng)ED及太陽(yáng)能電池等）研究，并取得優(yōu)秀成果。發(fā)表學(xué)術(shù)論文120余篇, 論文他引1200余次。主要研究領(lǐng)域包括：1. 化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)及缺陷控制；2. 化合物半導(dǎo)體的化學(xué)合成；3. 化合物半導(dǎo)體器件（LED及太陽(yáng)能電池）制備；4. 化合物半導(dǎo)體材料的微觀結(jié)構(gòu)與器件的性能模擬；5. 非晶態(tài)材料的原子結(jié)構(gòu)（實(shí)驗(yàn)及理論計(jì)算）。
劉新科，深圳大學(xué)微電子研究院院長(zhǎng)助理、材料學(xué)院研究員，新加坡國(guó)立大學(xué)訪問(wèn)教授，廣東省自然科學(xué)基金杰出青年項(xiàng)目獲得者，長(zhǎng)期從事寬禁帶氮化鎵以及氮化鎵異質(zhì)結(jié)的半導(dǎo)體器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., 等知名期刊發(fā)表第一或通信作者SCI收錄論文93篇，申請(qǐng)專利50項(xiàng)，授權(quán)專利12項(xiàng)并完成轉(zhuǎn)讓，科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次報(bào)道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials選為封面文章。目前承擔(dān)國(guó)家科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題和任務(wù)各一項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金兩項(xiàng)、廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題三項(xiàng)，深圳市基礎(chǔ)研究布局一項(xiàng)、深圳市技術(shù)攻關(guān)一項(xiàng)等10多項(xiàng)科研項(xiàng)目。
楊學(xué)林，2004年獲吉林大學(xué)學(xué)士學(xué)位，2009年獲北京大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，2009-2012年在日本東京大學(xué)從事博士后研究，目前為北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心高級(jí)工程師，國(guó)家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者(2019年)。近年來(lái)主要圍繞Si襯底上GaN基功率電子材料和器件開展研究工作，在Si基GaN厚膜及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長(zhǎng)、C雜質(zhì)的摻雜機(jī)理、缺陷態(tài)影響電子器件可靠性等方面取得了多項(xiàng)成果。迄今共發(fā)表SCI論文70多篇，包括以第一/通訊作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上發(fā)表SCI論文30篇。在本領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告13次，申請(qǐng)/授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利13件。主持和參加國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)青、面上、青年項(xiàng)目，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題，廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題，863課題等10項(xiàng)科研任務(wù)，正在積極推動(dòng)科研成果轉(zhuǎn)化。
張薇葭,美國(guó)Analog 設(shè)備公司IC電源控制組設(shè)計(jì)工程師。
最新日程如下：
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過(guò)去的六年時(shí)間里，IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng)，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過(guò)去的十七年里，SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容，呈現(xiàn)了超過(guò)1800個(gè)專業(yè)報(bào)告，累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦，同臺(tái)匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來(lái)。
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會(huì)議最新信息：
論壇信息
會(huì)議時(shí)間：2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心（福田區(qū)）
會(huì)議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)
主辦單位
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報(bào)告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
備注：
＊國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊SSL相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
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