2021年12月6-8日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，“IFWS& SSLCHINA 2021：材料與裝備論壇（碳化硅襯底與外延專場）"將于12月7日舉行，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、山西爍科晶體有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司協(xié)辦，特別邀請GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S.Raghavan，山東大學(xué)教授，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理陳秀芳，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理李斌，中國科學(xué)院物理所研究員王剛，哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長趙麗麗，中電科十三所基礎(chǔ)研究部質(zhì)量部主管李佳等代表性先進(jìn)研究力量，分享碳化硅襯底與外延技術(shù)的最新進(jìn)展。山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛與中國電子科技集團(tuán)第二研究所所長唐景庭將共同主持本次論壇。
作為一年一度的行業(yè)盛會，論壇及同期活動將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動向及技術(shù)趨勢，為除了開幕大會、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國內(nèi)外前沿進(jìn)展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
部分嘉賓簡介：
P.S.Raghavan，GT Advanced Technologies首席技術(shù)官。Raghavan 博士在晶體生長儀器、半導(dǎo)體（硅、碳化硅、III-V 和 II-VI）材料的晶體生長、氧化物（Al2O3、LiNbO3）、NLO 材料、閃爍檢測材料方面擁有超過 33 年的工業(yè)和學(xué)術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及先進(jìn)的電子和光子設(shè)備。他在開發(fā)技術(shù)和資本設(shè)備方面擁有數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)，已成功將行業(yè)領(lǐng)先的硅、藍(lán)寶石、碳化硅和氮化鎵晶體生長爐商業(yè)化，用于太陽能、LED、消費(fèi)電子和電力電子制造行業(yè)。
在2002年加入GT之前，他參與晶體生長研究，并擔(dān)任臺灣新竹NTHU電機(jī)工程系客座教授、安娜大學(xué)晶體生長中心助理教授和阿拉加帕大學(xué)Reader和 Head Instrumentation，印度。Raghavan博士擁有物理學(xué)碩士學(xué)位、物理學(xué)哲學(xué)碩士學(xué)位和物理學(xué)博士學(xué)位。在III-V族化合物的晶體生長中。他曾在全球國際知名實(shí)驗(yàn)室擔(dān)任博士后研究員，在國際期刊上發(fā)表了60篇研究論文，擁有8項(xiàng)專利。
陳秀芳，山東大學(xué)教授，主要從事寬帶隙碳化硅等半導(dǎo)體材料、石墨烯二維材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領(lǐng)域中，取得一系列重要應(yīng)用型科研成果，先后主持承擔(dān)了重大專項(xiàng)、973計(jì)劃、預(yù)研項(xiàng)目、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、科技部“863”計(jì)劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項(xiàng)等20余項(xiàng)國家及省部級項(xiàng)目。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇，申請和獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項(xiàng)。獲得2013年度“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”。
李斌 山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理
王剛 中國科學(xué)院物理所研究員，2009年1月加入中國科學(xué)院物理研究所，2016年7月-2017年7月在美國埃姆斯實(shí)驗(yàn)室訪問，現(xiàn)任中國科學(xué)院物理研究所研究員、博士生導(dǎo)師。國家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者，榮獲盧嘉錫青年人才獎和中國硅酸鹽學(xué)會青年科技獎等獎項(xiàng)。無機(jī)電磁功能材料探索、晶體生長與物性
趙麗麗 哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授, 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長
最新日程如下：
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F3-材料與裝備論壇（碳化硅襯底與外延）
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時間：2021年12月7日
地點(diǎn)：深圳會展中心• 五層玫瑰廳3
Time: Dec 7th，2021 Afternoon
Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Rose Hall 3
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屏幕尺寸 / Slides Size：
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主持人
Moderator
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徐現(xiàn)剛-山東大學(xué)教授
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9:00-9:25
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用于電力電子的 150 毫米和 200 毫米直徑高產(chǎn) 4H 碳化硅的缺陷表征和晶體生長Defect characterization and crystal growth of 150 mm and 200 mm diameter high yielding 4H SiC for power electronic applications
P.S.Raghavan--GT Advanced Technologies首席技術(shù)官
P.S.Raghavan--CTO of GT Advanced Technologies
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9:25-9:45
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SiC單晶材料生長及缺陷控制機(jī)制SiC single crystal material growth and defect control mechanism
陳秀芳--山東大學(xué)教授，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理
CHEN Xiufang—Professor of Shandong University, Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.
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9:45-10:05
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化合物半導(dǎo)體材料發(fā)展展望Prospects for the development of compound semiconductor materials
李斌--山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理
Li Bin--General Manager of Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Deputy General Manager of CEC Semiconductor Materials Co., Ltd.
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10:05-10:25
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碳化硅單晶襯底與外延進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)化Progress and industrialization of silicon carbide substrate and epitaxy
王剛 中國科學(xué)院物理所研究員
Wang Gang Professor，Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
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10:25-10:40
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茶歇/Coffee break
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10:40-11:00
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低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究Research on Industrialization Technology of Low-cost Silicon Carbide Single Crystal Materials
趙麗麗 哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授, 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長
Zhao Lili Professor, School of Chemical Engineering and Chemistry, Harbin Institute of Technology
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11:00-11:20
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SiC同質(zhì)外延缺陷研究Research on SiC Homoepitaxial Defects
李 佳 中電科十三所基礎(chǔ)研究部質(zhì)量部主管
Li Jia Head of Quality Department, Basic Research Department, 13th Research Institute of CLP
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Panel Discussion：
對話議題（擬定）
1 六英寸半絕緣型碳化硅襯底可靠性問題，量產(chǎn)時間
2 功率器件導(dǎo)電型襯底國產(chǎn)化的挑戰(zhàn)及市場機(jī)會
3 襯底研磨拋及清洗設(shè)備對碳化硅襯底成本的影響及需求
4，外延設(shè)備國產(chǎn)化的時間
5，單晶爐品牌化的可能性
主持人： 于坤山- 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
對話嘉賓（擬定）：
王垚浩——廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司董事長
李 斌——山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理
趙麗麗——哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長
鞏小亮——中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任
張永熙——上海瞻芯電子科技有限公司董事長
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)教授
王 剛—— 中國科學(xué)院物理所研究員
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備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒幼谥?，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國際頂級學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒幼谥?，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內(nèi)的全球最頂級專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告，累計(jì)參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
國際第三代半導(dǎo)體論壇與中國國際半導(dǎo)體照明論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會議最新信息：
論壇信息
會議時間：2021年12月6-8日
會議地點(diǎn)：深圳會展中心（福田區(qū)）
會議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
注冊費(fèi)用權(quán)益表
備注：
＊國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊SSL相關(guān)會議包含：開幕大會、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會議包含：開幕大會、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
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