近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。
期間， “IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應(yīng)用論壇“成功召開(kāi)。會(huì)議由蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦支持。
▲大連理工大學(xué)教授王德君
會(huì)上，大連理工大學(xué)王德君教授通過(guò)云視頻分享了“SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù) ”主題報(bào)告。報(bào)告中介紹了在SiC MOS器件制作過(guò)程當(dāng)中柵氧氧化后處理的一道工序，在柵氧和半導(dǎo)體之間界面會(huì)形成大量的缺陷，包括界面的缺陷、固定的電荷、柵氧內(nèi)部的缺陷、可動(dòng)離子等不理想因素，尤其是界面的缺陷和近界面處的缺陷會(huì)對(duì)器件的溝道遷移率會(huì)產(chǎn)生影響，近界面的缺陷和電荷會(huì)對(duì)器件性能的穩(wěn)定性造成影響。
在SiC半導(dǎo)體器件制作及可靠性技術(shù)領(lǐng)域，一種利用含氯元素的氧化后退火技術(shù)改進(jìn)SiC MOSFET器件性能的方法。通過(guò)在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通過(guò)氯元素固定SiO2薄膜中的可動(dòng)離子，從而有效提升SiC MOSFET器件的穩(wěn)定性。
與已有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2 界面附近陷阱，又可以通過(guò)氯元素固定SiO2 薄膜中的可動(dòng)離子，從而有效提升SiC MOSFET器件的穩(wěn)定性。更重要的是，氮，氫和氯三種元素的最佳處理時(shí)間并不相同，通過(guò)氧化引入大量的N可以有效的消除陷阱，隨后引入的氫和氯元素可以巧妙的調(diào)整處理時(shí)間，使其既能鈍化剩余缺陷以及固定可動(dòng)離子，同時(shí)不會(huì)產(chǎn)生對(duì)柵氧絕緣層的劣化。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！）
