近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
硅 (Si) 功率器件因其低成本的批量生產(chǎn)、出色的原材料質(zhì)量、易于制造和久經(jīng)考驗的可靠性而在電力電子產(chǎn)品中占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管 Si 功率器件繼續(xù)取得重大進展，但它們正接近其工作極限，主要是因為它們的帶隙和臨界電場相對較低，導(dǎo)致高傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，以及較差的高溫性能。
在本次演講中，Victor VELIADIS教授概述碳化硅 (SiC) 的有利材料特性，這些特性可用于實現(xiàn)外形尺寸和冷卻要求更低的高效功率器件。展示高影響力的應(yīng)用機會，其中 SiC 器件正在取代其現(xiàn)有的 Si 器件。材料和器件制造方面將被強調(diào)，重點是那些不是從成熟的硅制造領(lǐng)域繼承下來的工藝，因此是碳化硅特有的。
特別是，演講重點介紹了平面和溝槽 MOSFET 的設(shè)計，它們目前被插入到大多數(shù)基于 SiC 的電力電子系統(tǒng)中。分析 Fab 模型，并展示充滿活力的美國 SiC 制造基礎(chǔ)設(shè)施（反映 Si 的制造基礎(chǔ)設(shè)施）。并討論 SiC 大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和堅固性問題、降低器件性能的缺陷，以及需要訓(xùn)練有素的勞動力才能熟練地將 SiC 插入電力電子系統(tǒng)。
最后，并簡要介紹了 PowerAmerica 生態(tài)系統(tǒng)，該生態(tài)系統(tǒng)涵蓋 WBG 供應(yīng)鏈的各個方面，以及它為其 67 個成員帶來的價值。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！）
特別是，演講重點介紹了平面和溝槽 MOSFET 的設(shè)計，它們目前被插入到大多數(shù)基于 SiC 的電力電子系統(tǒng)中。分析 Fab 模型，并展示充滿活力的美國 SiC 制造基礎(chǔ)設(shè)施（反映 Si 的制造基礎(chǔ)設(shè)施）。并討論 SiC 大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和堅固性問題、降低器件性能的缺陷，以及需要訓(xùn)練有素的勞動力才能熟練地將 SiC 插入電力電子系統(tǒng)。
最后，并簡要介紹了 PowerAmerica 生態(tài)系統(tǒng)，該生態(tài)系統(tǒng)涵蓋 WBG 供應(yīng)鏈的各個方面，以及它為其 67 個成員帶來的價值。
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