近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。
期間， “IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應(yīng)用論壇“成功召開。會(huì)議由蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦支持。
▲德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文
▲德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文
會(huì)上，德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文分享了“促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)”主題報(bào)告。
他表示，在全球數(shù)字化和汽車電氣化大趨勢背景下，寬禁帶半導(dǎo)體材料以其性能優(yōu)勢催生眾多市場應(yīng)用場景，在中短期內(nèi)被越來越多的消費(fèi)產(chǎn)品采用?；诘壓吞蓟铻榇淼膶捊麕О雽?dǎo)體材料設(shè)計(jì)的功率器件，因減小了尺寸、重量和成本，同時(shí)擴(kuò)大了里程范圍，在越來越多的汽車應(yīng)用，而GaN也正加速滲透進(jìn)消費(fèi)市場。
他表示，在全球數(shù)字化和汽車電氣化大趨勢背景下，寬禁帶半導(dǎo)體材料以其性能優(yōu)勢催生眾多市場應(yīng)用場景，在中短期內(nèi)被越來越多的消費(fèi)產(chǎn)品采用?；诘壓吞蓟铻榇淼膶捊麕О雽?dǎo)體材料設(shè)計(jì)的功率器件，因減小了尺寸、重量和成本，同時(shí)擴(kuò)大了里程范圍，在越來越多的汽車應(yīng)用，而GaN也正加速滲透進(jìn)消費(fèi)市場。
為了在第三代半導(dǎo)體在消費(fèi)市場取得進(jìn)一步成功，實(shí)現(xiàn)器件的優(yōu)良性能，外延層的制備至關(guān)重要，不僅性能，而且成本和大批量生產(chǎn)能力都將成為關(guān)鍵性因素。方子文博士分析了寬禁帶半導(dǎo)體外延批量生產(chǎn)技術(shù)的最新進(jìn)展，包括用于SiC外延的AIX G5 WWC和用于GaN外延的AIX G5+ C批量生產(chǎn)解決方案。
AIX G5 WW C MOCVD使用基于經(jīng)過量產(chǎn)客戶驗(yàn)證的AIXTRON行星式反應(yīng)器平臺(tái)，并導(dǎo)入全自動(dòng)化卡匣式（C2C）晶圓傳輸系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)單腔最大片數(shù)(8 x 6英寸)及最大產(chǎn)能。它同時(shí)提供了靈活的6英寸和4英寸配置，旨在將生產(chǎn)成本壓縮到最低，同時(shí)保持優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量。另外，2022年愛思強(qiáng)也將會(huì)在市場推出200mm（8英寸）設(shè)備。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解?。?/span>
AIX G5 WW C MOCVD使用基于經(jīng)過量產(chǎn)客戶驗(yàn)證的AIXTRON行星式反應(yīng)器平臺(tái)，并導(dǎo)入全自動(dòng)化卡匣式（C2C）晶圓傳輸系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)單腔最大片數(shù)(8 x 6英寸)及最大產(chǎn)能。它同時(shí)提供了靈活的6英寸和4英寸配置，旨在將生產(chǎn)成本壓縮到最低，同時(shí)保持優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量。另外，2022年愛思強(qiáng)也將會(huì)在市場推出200mm（8英寸）設(shè)備。
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