近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。 期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass做了題為“藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究”的視頻主題報告，分享了最新研究成果，研究利用先進(jìn)的 LASTIP-Crosslight 模擬器，對由三元氮化硼鎵BxGa1-xN組成的新型邊緣發(fā)射激光二極管 (EELD) 進(jìn)行了理論分析，以增強(qiáng)P型導(dǎo)電性。使用原型方案獲得的模擬結(jié)果期望在270nm的目標(biāo)UVC 波長處產(chǎn)生激光。此外，在0.5μm的N電極區(qū)域?qū)挾然?μm的P電極區(qū)域?qū)挾认驴梢垣@得最小的直接電阻。結(jié)果歸因于直接電阻與 N 電極和P電極的寬度尺寸之間的線性和非線性關(guān)系。

 
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）