近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。  期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，鄭州大學(xué)電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合研究中心主任、教授劉玉懷做了題為“六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述”的主題報告。六方相氮化硼薄膜（hBN）可望應(yīng)用于深紫外發(fā)光器件、中子探測器件以及電子器件的襯底層、介質(zhì)層或絕緣層，近年來hBN研究成果吸引了大量關(guān)注。報告展示hBN在不同襯底上的生長比較，包括藍寶石襯底、氮化鋁/藍寶石模板、氮化鋁襯底以及金剛石襯底等。分享了在藍寶石、AlN/藍寶石模板和金剛石襯底上生長的BN，觀察到在不同基板上生長的所有BN薄膜的皺紋圖案，可以看到生長的BN膜具有六重對稱性，表明形成了六邊形BN，B(~190 eV)和N(~401 eV)的K邊上的π*和σ*能量損失等最新研究成果。

 

劉玉懷，主要研究方向為氮化物半導(dǎo)體材料與器件，主持國家重點研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點專項（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學(xué)基金面上項目、河南省科技攻關(guān)項目等13項。發(fā)表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權(quán)中國發(fā)明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權(quán)5項。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍團隊”三色LED集成芯片項目，參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產(chǎn)業(yè)化”。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）