近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

半導體是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，是國家命脈產(chǎn)業(yè)。物聯(lián)網(wǎng)、新能源、新基建等新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)嚴重依賴半導體產(chǎn)業(yè)。半導體材料制備則是半導體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。第三代半導體材料是新一代信息技術(shù)核心競爭力的重要支撐。期間，”碳化硅襯底與外延“論壇上，哈爾濱工業(yè)大學化工與化學學院教授, 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長趙麗麗做了題為“低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究”的主題報告，分享了最新研究成果。

 

碳化硅晶體材料制備涉及設(shè)備、技術(shù)、質(zhì)量、成本等多方面的問題與挑戰(zhàn)。晶體材料制備還面臨一些問題。比如晶體材料制備條件極為苛刻，對設(shè)備要求極高，缺乏設(shè)計，制造能力的積累。晶體生長需要高溫，甚至達2300℃，無法實現(xiàn)有效、直觀檢測，難以優(yōu)化反饋。成本高昂，生長周期長，傳統(tǒng)’試錯式”，“暗箱式”技術(shù)改進成本高，耗時長，效率低。屬新興戰(zhàn)略行業(yè)、材料、裝備和技術(shù)受發(fā)達國家禁運管控，國外大廠壟斷。

 

報告指出，面向半導體晶體材料制備及高端設(shè)備自主研制的迫切需求，研究了應(yīng)用全過程、全動態(tài)的數(shù)值模擬，可視化復雜反應(yīng)，多相工藝過程。建立模型、精準揭示晶體生長參數(shù)、設(shè)備環(huán)境，工藝過程之間相互作用。解析PVT法晶體材料的制備過程，解決碳化硅、氮化鋁等材料制備效率，界面調(diào)控等難題。報告還具體介紹了缺陷控制解決辦法、成本控制等內(nèi)容。
 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）