近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網(wǎng)共同承辦。

 

期間，“氮化鎵功率器件”專場上，西安電子科技大學王婷婷做了題為”基于金屬氮化物陽極的凹槽雙陽極SBD研究“的主題報告，報告指出，傳統(tǒng)GaN基SBD存在著較差的界面質量、較差的熱穩(wěn)定性等問題。金屬氮化物GaN SBDs，比如氮化鈦(TiN)，具有良好的熱穩(wěn)定性，低的開啟電壓、漏電大，良好的界面質量等特點。氮化鎳(NiN) 具有良好的熱穩(wěn)定性，高的開啟電壓、漏電小，良好的界面質量等特點。報告分享了凹槽雙陽極SBD制備工藝流程、平面雙陽極（DA）SBD器件、平面雙陽極（DA）SBD器件的C-V特性、DA SBD器件的動態(tài)以及擊穿特性、凹槽單陽極(RSA)、凹槽雙陽極(RDA) SBD、RDA SBD器件的電流傳輸過程、RDA SBD器件的導通以及C-V特性、RDA SBD器件的擊穿特性等角度詳細分享了研究成果。

研究首次提出凹槽雙陽極SBD結構，同時利用金屬氮化物與凹槽陽極結構的優(yōu)勢，實現(xiàn)超低開啟電壓（0.3 V）以及高擊穿電壓（1.62 kV）的特性。研究結果顯示，通過制備平面金屬氮化物雙陽極SBD，相比于單陽極器件，可以實現(xiàn)較低的開啟電壓（0.64 V）以及較高的擊穿電壓（1.49 kV）特性，通過動態(tài)I-V特性驗證其優(yōu)越的肖特基界面。制備凹槽金屬氮化物雙陽極SBD，可以進一步降低開啟電壓（0.30 V）以及提高擊穿電壓（1.62 kV）。

 

 

（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）