近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平做了題為”轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器“的主題報告。從GaN-SBD 的設(shè)計和制造、905MHz微波整流器的開發(fā)等方面分享了研究成果。

 

具有U形準垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵 SBD是專門為 905 MHz的低功率微波整流而設(shè)計和制造的。采用高摻雜外延層和圖案化肖特基陽極，分別將GaN SBD電阻降低至0.75Ω，將結(jié)電容降低至0.9 pF。研究設(shè)計并測量了基于U型GaN SBD的工作頻率為905 MHz的微波整流器。由于出色的二極管性能和微波電路設(shè)計，在20 dBm的輸入功率下實現(xiàn)了超過91.5%的實測轉(zhuǎn)換效率。由于結(jié)電容較小，整流器的高效工作帶寬 (>50%) 也提高到14.5 dBm。

 

敖金平，日本德島大學教授、西安電子科技大學教授，2003年11月起加入德島大學并于2012年升任準教授。2016年起任西安電子科技大學特聘教授，博士生導師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國際學術(shù)期刊和國際會議上發(fā)表論文200余篇，擁有多項發(fā)明專利。敖博士是國際電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員，美國電氣化學協(xié)會(ESC)會員，日本應用物理學會會員以及日本電子情報通信學會會員。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）