近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網共同承辦。
期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，中國電子科技集團公司第十三研究所梁士雄做了題為”基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器“的主題報告。
因具備高擊穿電壓和低介電常數(shù)的優(yōu)勢，GaN肖特基二極管（SBD）在一些新興高功率太赫茲倍頻器上顯示出巨大的應用前景。報告表示，研究采用金屬-有機物化學氣相沉積（MOCVD）法在SiC襯底上外延生長N-/N+結構的GaN肖特基二極管材料。通過增加陽極結數(shù)量，優(yōu)化陽極結尺寸，提高單個GaN 肖特基二極管芯片的耐受功率?；谌S電磁場模型，設計并制備了高性能的太赫茲倍頻器，展示出創(chuàng)紀錄的性能。
倍頻器在151 GHz下實現(xiàn)1322 mW的輸出功率和27%的效率，在216 GHz下實現(xiàn)1006 mW的輸出功率和15%的效率，在302 GHz下實現(xiàn)183 mW的輸出功率和13.9%的效率。采用功率合成結構，GaN基倍頻器的性能還將得到進一步提升。
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