近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，西安電子科技大學特聘教授劉志宏做了題為“面向移動SoC應用的氮化鎵射頻器件研究進展”的主題報告。

 

GaN射頻器件已經(jīng)證明在雷達、衛(wèi)星、通信基站等領域具有非常大的優(yōu)勢，并且得到應用。GaN射頻器件主要優(yōu)勢體現(xiàn)在PA上，GaN PA具有高功率、高效率、小體積、抗輻射、耐高溫、低系統(tǒng)成本等優(yōu)點。GaN射頻移動終端SoC應用具有強自發(fā)極化和壓電極化、更高的電子飽和速度、更大的導熱系數(shù)、更低的花費、更容易與Si CMOS集成等優(yōu)勢。如果使GaN射頻器件具有對GaAs足夠優(yōu)勢，需要解決提高性能、降低成本等挑戰(zhàn)。報告從InAlN勢壘結(jié)構(gòu)Si基GaN HEMT、AlN勢壘結(jié)構(gòu)Si基GaN HEMT、Si基GaN其他射頻器件及GaN-CMOS異質(zhì)集成等方面分享了研究進展與成果。

 

劉志宏，西安電子科技大學教授、博導。2007年加入新加坡南洋理工大學淡馬錫實驗室，任職Research Associate，負責氮化鎵微波器件和MMIC制造技術的研發(fā)；2011年加入新加坡-麻省理工學院聯(lián)合科技中心（SMART），任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，負責硅基氮化鎵微波/毫米波/太赫茲器件、氮化鎵與硅CMOS異質(zhì)集成技術、氮化鎵電力電子器件等的研發(fā)。2019年全職回國加入西安電子科技大學。目前研究方向為GaN等寬禁帶半導體器件物理、制造技術、表征建模與集成電路。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）