氮化鋁（AlN）是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有寬帶隙、高激子結(jié)合能、高熔點、高臨界擊穿場強(qiáng)、高硬度、高熱導(dǎo)率、高溫?zé)岱€(wěn)定性和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)異特性，是制作紫外光電器件以及大功率、高頻電子器件的理想材料，現(xiàn)已被國家列為“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”。

近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。期間，“氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)“分論壇上，深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長、教授武紅磊做了題為“氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術(shù)研究”的主題報告，分享了最新研究進(jìn)展。

 

報告主要開展氮化鋁晶體物理氣相傳輸法（PVT）制備裝置及技術(shù)研究，包括：研究氮化鋁晶體的PVT生長習(xí)性及對制備裝置的特殊要求，以及達(dá)到這些特殊要求的途徑和方法；通過自行設(shè)計的裝置，探索大尺寸氮化鋁單晶的生長技術(shù)；對不同顏色晶體進(jìn)行分析，研究氮化鋁晶體呈現(xiàn)有色的原因，探索本征缺陷、雜質(zhì)等的影響，并通過工藝優(yōu)化，實現(xiàn)無色英寸級氮化鋁單晶制備。

 

武紅磊博士，深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長，光電子器件與系統(tǒng)教育部重點實驗室（深圳大學(xué)）副主任，深圳大學(xué)優(yōu)秀學(xué)者，廣東省重大科技項目首席科學(xué)家。自2004年起一直從事超寬禁帶半導(dǎo)體材料-氮化鋁晶體的制備及相關(guān)器件研究。主持、參與973項目、國家自然科學(xué)基金重點項目等國家級項目6項、廣東省重點領(lǐng)域重大科技專項1項及深圳市項目8項；在ACS Photonics、Advanced Materials等國內(nèi)外知名學(xué)術(shù)期刊等發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇；申請專利30余項，授權(quán)21項，編寫氮化鋁晶體研究英文專著一本；設(shè)計了國內(nèi)首臺氮化鋁晶體的專用生長裝置，并逐步完善實現(xiàn)生長裝置的定型；深入研究晶體生長，實現(xiàn)英寸級、無色氮化鋁晶體的可靠制備，并形成了具有知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的生長技術(shù)體系。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）