中國最高行業(yè)監(jiān)管機構(gòu)將重要的半導體基礎材料碳化硅（SiC）納入工業(yè)技術創(chuàng)新發(fā)展五年計劃。

 

專家表示，此舉是工業(yè)和信息化部引導碳基材料發(fā)展以支持芯片創(chuàng)新和發(fā)展的更廣泛努力的一部分。

 

專家表示，碳基材料可以很好地替代硅基半導體材料，它們是中國旨在實現(xiàn)突破的第三代半導體技術的重要組成部分。

 

工信部表示，將碳基材料列入原材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃（2021-25），將碳化硅和碳基復合材料列入“十四五”產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃。更大的目標是支持行業(yè)攻克技術壁壘，提升產(chǎn)品質(zhì)量，推動產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。

 

東興證券在一份研究報告中表示，在大量自然儲量中發(fā)現(xiàn)的硅已成為制造芯片和設備的最重要原材料。90%以上的半導體產(chǎn)品都是用硅作為基板。

 

但受限于材料本身的特性，硅基功率器件逐漸無法滿足5G、新能源汽車、高鐵等新興應用對大功率高頻器件的需求。

 

因此，碳化硅有望部分替代硅，成為制備高壓高頻器件的新型襯底材料，東興證券表示。

 

隨著中國在“后摩爾時代”尋求第三代芯片的突破，碳化硅是第三代半導體技術的重要材料。1975 年，英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾制定了一個規(guī)則，即硅芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。但快速的技術進步可能會使該規(guī)則在未來過時。

 

5 月，劉鶴副總理出席的政府會議討論了后摩爾時代集成電路或 IC 的潛在顛覆性技術。

 

粵凱證券在研報中表示，第三代半導體技術顯然是重要的發(fā)展方向，其下游應用主要集中在5G基站、新能源充電樁、城際高鐵等領域。

 

第三代半導體技術為中國芯片制造商追趕外國同行提供了良機?；泟P證券補充說，第三代半導體產(chǎn)品主要采用成熟的制造和加工技術，與傳統(tǒng)的硅基半導體技術相比，國內(nèi)制造商面臨的障礙較少。

 

電信行業(yè)協(xié)會信息消費聯(lián)盟理事長項立剛表示：“第三代半導體技術應用的主戰(zhàn)場在中國，但國內(nèi)企業(yè)要解決一個字符串問題還需要很長時間。在廣泛普及這些技術之前面臨的挑戰(zhàn)。”

 

 

近日，第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會在珠海展開。三安光電(600703)副總經(jīng)理陳東坡在大會上表示，預計在2023-2024年，碳化硅器件在長續(xù)航里程的電動車車型的滲透率會到80%—90%。再往后的未來也會在低續(xù)航里程的車型中逐步滲透。預計2024年之后，400至500公里續(xù)航的電動車碳化硅器件的滲透率會到40%左右。至于400公里續(xù)航以下的車型碳化硅器件的滲透率不會太高，2025年之后會達到10%左右。

 

功率模塊決定了新能源車的電渠系統(tǒng)的性能和整車的能源效率，是電動車除成本外第二高的元件，當前功率模塊的主流是硅基IGBT。而新能源汽車的高電壓、輕量化、高效率需求呼喚性能更高的半導體器件。

 

作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅(SiC)具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高頻、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。

 

當前SiC器件的生產(chǎn)工藝和技術日趨成熟，成為了替代IGBT的不二選擇。另外，SiC還可以使模塊和周邊元器件小型化，推動汽車輕量應用，在提升續(xù)航里程、縮短充電時間、降低整體成本方面，SiC也起著重要作用。但目前SiC所面臨的最主要問題是成本太高，較IGBT沒有性價比。據(jù)了解，目前SiC功率器件的成本約為Si基IGBT的3-5倍。

 

有分析認為，隨著SiC的規(guī)模應用，未來SiC成本有望下降至硅基IGBT的2倍左右。

 

據(jù)了解，特斯拉的Model3和ModelY已經(jīng)全面升級到SiC的主驅(qū)逆變器，明年有望實現(xiàn)所有車型全面應用。在此方面，國內(nèi)外其它車企例如豐田、比亞迪、蔚來、等都陸續(xù)宣布采用碳化硅方案。其中比亞迪漢EV車型上已開始使用自主研發(fā)的SicMOSFET(碳化硅功率場效應晶體管)。

 

除了車企外，華為也在大力布局碳化硅。華為已經(jīng)入股多家相關公司，包括山東天岳、瀚天天成、天域半導體等碳化硅技術廠商。

 

據(jù)媒體報道，日本企業(yè)也在紛紛加碼SiC，東芝計劃2023年將日本兵庫縣SiC工廠產(chǎn)量提高到2020年的3倍以上，并盡快提高到10倍，計劃2030年獲得全球10%以上的份額；羅姆計劃2025年之前將SiC功率半導體的產(chǎn)能擴大到5倍以上，吉利汽車的純電動車已決定采用羅姆的產(chǎn)品；富士電機也在考慮將SiC產(chǎn)品的投產(chǎn)時間比原計劃(2025年)提前半年至一年。另外在今年11月安森美也收購了GTAT，主要用于保證未來SiC晶圓供應。

 

國內(nèi)廠商SiC方面也不甘示弱，華潤微于12月17日發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的1200VSiCMOSFET產(chǎn)品，可應用于新能源汽車OBC、充電樁等場景；三安光電是國內(nèi)首家完成SiCMOSFET器件量產(chǎn)平臺打造的廠商，目前正加快SiC垂直產(chǎn)業(yè)鏈布局；斯達半導的SiC模塊已獲得多個800V平臺電機控制器新定點；欣銳科技是國內(nèi)高壓車載電控系統(tǒng)龍頭，全系產(chǎn)品采用SiC功率器件，并擁有大量相關技術儲備。

 

目前SiC主要應用在電動車的主驅(qū)逆變器、車載充電器、車外充電器，等裝置。

 

 

純電動汽車:8寸晶圓可以滿足13輛車的SiC需求;6寸晶圓可以滿足7輛車的SiC需求

 

假設良率為50%，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器=10平方厘米；OBC=1.8平方厘米；DC/DC=0.9平方厘米，

 

8英寸=324.29平方厘米，那么1張8寸晶圓可以滿足13輛車的SiC需求。6英寸=176.7平方厘米,那么1張6寸晶圓可以滿足7輛車的SiC需求。

 

油電混合車:8寸晶圓可以滿足17輛車的SiC需求;6寸晶圓可以滿足9輛車的SiC需求

 

假設良率為50%，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器=8平方厘米；OBC=0.9平方厘米；DC/DC=0.5平方厘米，

 

8英寸=324.29平方厘米，那么1張8寸晶圓可以滿足17輛車的SiC需求。6英寸=176.7平方厘米,那么1張6寸晶圓可以滿足9輛車的SiC需求。

 

我國新能源汽車銷量測算(萬輛)

純電動汽車占新能源汽車比重為81%，以此數(shù)據(jù)假設，我國2021-2025年新能源汽車相關8英寸SiC晶圓需求為25.4萬片、32.6萬片、41.9萬片、53.9萬片、69.2萬片，6英寸SiC晶圓需求我國為45.1萬片、58.0萬片、74.5萬片、95.8萬片、123.1萬片。

新能源車銷量持續(xù)超預期使得SiC MOSFET有望成為最暢銷的功率器件，IHS報告顯示，2027年SiC功率器件的市場規(guī)模有望突破100億美元，并保持較快增速。另外，據(jù)研調(diào)機構(gòu)DIGITIMESResearch預估，2025年SiC在電動車應用的市場規(guī)?？芍?.5億美元，2021-2025年，年復合增長率25-30%。

 

天風證券認為，SiC功率元件有極佳的內(nèi)在特質(zhì)：高效率，降低能量損耗；高轉(zhuǎn)換頻率，增加能量強度；可在更高的溫度下運行，提升長期可靠性。SiC MOSFET相較于傳統(tǒng)的Si-IGBT體積縮小了50%，效率提升了2%，器件的使用壽命得到延長。SiC有助于降低電動車用戶的使用成本：提升效率以達到節(jié)電目的，在相同輸出功率下可增加續(xù)航里程、提升充電速度，解決新能源汽車痛點。新能源汽車變革下，SiC供不應求，未來有望維持高景氣。