1月14日，納微半導體(Navitas Semiconductor)宣布于上海開設新的電動汽車設計中心，用以開展氮化鎵功率芯片業(yè)務。設計中心將為全功能、可產(chǎn)品化的電動汽車動力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件。

 

與傳統(tǒng)的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器(OBC)的充電速度快3倍，節(jié)能高達70%。氮化鎵OBC、DC-DC轉換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車續(xù)航里程，或將電池成本降低5%。與使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年來到。到2050年，將電動汽車升級到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少20%。

 

制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍?？紤]到效率以及材料尺寸和重量優(yōu)勢，每個出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約 4 公斤的二氧化碳?？傮w而言，到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量減少問題。

 

納微半導體上海設計中心新任高級總監(jiān)孫浩先生表示：“ Navitas將與 OBC、DC-DC 和牽引系統(tǒng)公司合作，創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級解決方案，以推動 GaN 進入主流電動汽車。”

 

納微半導體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示：“對于 GaN 來說，電動汽車是一個令人興奮的擴展市場，估計每輛 EV 內(nèi)，氮化鎵的潛在價值為 250 美元。”