據(jù)外媒報道，中國硅基GaN功率半導(dǎo)體IDM龍頭英諾賽科宣布正式啟動國際業(yè)務(wù)，通過在美國硅谷及比利時魯汶增設(shè)設(shè)計及銷售辦公室，為客戶提供更好的支持與服務(wù)。

 

放眼全球，英諾賽科市占率攀升

 

英諾賽科于2015年在珠海成立，專注于8英寸硅基GaN的研發(fā)、生產(chǎn)與制造，核心技術(shù)包含外延、器件及工藝，現(xiàn)擁有珠海和蘇州兩大晶圓生產(chǎn)基地，同時在國內(nèi)多個城市以及北美、歐洲均設(shè)立了應(yīng)用和分銷機(jī)構(gòu)。

 

對于這個GaN龍頭廠商來說，目標(biāo)從來都不是國內(nèi)領(lǐng)先，而是國際領(lǐng)先。

 

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，在2020-2021年全球GaN功率廠商出貨量占有率前十廠商中，英諾賽科得益于其高壓、低壓GaN產(chǎn)品出貨量顯著增長，排名躍居第三位，市占率從2020年的6%大幅提升至2021年的20%。除此之外，其GaN快充產(chǎn)品也首次打入了一線筆電廠商的供應(yīng)鏈，并試圖在工業(yè)、汽車市場開拓新的利潤增長點。 

 

如今，國際業(yè)務(wù)已正式啟動，表明英諾賽科將以更快的速度進(jìn)軍國際市場。未來，其GaN產(chǎn)品在全球市場的占有率有望進(jìn)一步提升。英諾賽科美國總經(jīng)理Yi Sun坦言，未來公司將更好地為美國的客戶（尤其是舊金山灣區(qū)的客戶）服務(wù)。英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Marcon則表示，GaN發(fā)展正當(dāng)時，公司已做好充分準(zhǔn)備服務(wù)全球市場。

 

 

市占率攀升、國際影響力提升，這些成功背后的支撐可以說是高性價比的產(chǎn)品和充足的產(chǎn)能。

 

根據(jù)英諾賽科高級經(jīng)理賀鵬在2021年集邦咨詢化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前瞻分析會上透露，英諾賽科珠海生產(chǎn)基地具備了4000的月產(chǎn)能，蘇州生產(chǎn)基地具備6000-10000片的月產(chǎn)能，未來蘇州基地滿產(chǎn)后月產(chǎn)能將達(dá)到65000片。而據(jù)外媒報道，英諾賽科8英寸月產(chǎn)能預(yù)計今年晚些時候?qū)⒃黾又?4000片/月，到2025年之前可達(dá)70000片/月。

 

產(chǎn)品部分，目前硅基GaN器件涵蓋30V-650V，出貨量已超過3500萬個，廣泛應(yīng)用于USB PD充電器與適配器、數(shù)據(jù)中心、移動手機(jī)及LED驅(qū)動電源等多個領(lǐng)域。

 

在8英寸硅基GaN核心技術(shù)上，英諾賽科優(yōu)化了外延工藝，以獲得均勻、可重復(fù)和堅固的8英寸GaN-on-Si外延片。此外，英諾賽科還優(yōu)化了工藝技術(shù)，擴(kuò)大了工藝窗口等，以此來獲得可大規(guī)模量產(chǎn)的工藝及更高晶圓的利用率，開發(fā)具有高再現(xiàn)性和高良率的晶圓。

 

例如，英諾賽科在外延結(jié)構(gòu)上加入了應(yīng)力增強(qiáng)層，可在不影響閾值電壓及漏電等其他參數(shù)的條件下，顯著降低RDS(on)參數(shù)，從而開發(fā)高品質(zhì)常關(guān)/E-mode GaN FET（氮化鎵場效晶體管）。目前，其硅基GaN器件已通過了超越JEDEC（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會）標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量和可靠性測試。

 

總的來說，憑借經(jīng)優(yōu)化的外延和器件工藝，英諾賽科成功實現(xiàn)8英寸硅基GaN晶圓和器件的大規(guī)模量產(chǎn)并降低生產(chǎn)成本，為客戶提供具備高性能、高可靠性、高質(zhì)量的產(chǎn)品。

 

英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Marcon認(rèn)為，在市場同類產(chǎn)品中，英諾賽科的產(chǎn)品可在價格上取勝；與此同時，在缺芯背景下，公司的產(chǎn)能也足以保障供貨能力，滿足客戶的需求。未來，英諾賽科期待攜手更多合作伙伴，共同推動GaN滲透全球電子行業(yè)。